第二章缺陷1.pptxVIP

二维情况：局部格点破坏导致平移对称性的破坏——无法复制整个晶体 晶体缺陷理想晶体（平面示意图）：具有平移对称性所有原子按理想晶格点阵排列InterstitialVacancySTM图显示表面原子存在的原子空位缺陷自然界中理想晶体是不存在的缺陷只是晶体中局部破坏统计学原子百分数，缺陷数量微不足道如：20℃时，Cu的空位浓度为3.8×10-17缺陷比例过高→晶体“完整性” 破坏。此时的固体便不能用空间点阵来描述，也不能被称之为晶体，这便是材料中的另一大类别：非晶态固体另一方面，结构缺陷的存在，对晶体的生长、晶体物化及机械性质却有较大的影响例如：半导体导电性质几乎完全由外来杂质原子及缺陷决定陶瓷烧结－物质传质－缺陷磁性材料磁化性能受位错等缺陷及运动影响离子晶体颜色来自于晶体缺陷故研究结构缺陷的存在及其运动规律十分必要晶体结构缺陷的类型 分类方式：　几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等　形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺 陷, 一、按缺陷的几何形态分类 本征缺陷点缺陷零维缺陷杂质缺陷线缺陷一维缺陷位错小角度晶界、大角度晶界面缺陷二维缺陷挛晶界面堆垛层错包藏杂质体缺陷三维缺陷沉淀空洞1. 点缺陷（零维缺陷） Point Defect 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。点缺陷是无机材料中最基本、最重要的缺陷由于热运动、杂质的存在，几乎所有晶体都存在点缺陷点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。点缺陷 1、按几何位置分类： (1)空位式： 正常结—原子/离子，空结点 (2)取代（置换）式： 外来原子→正常结点 (3)间隙式： 原子→空隙位置 Point Defects? Vacancies:-vacant atomic sites in a structure.Common? Self-Interstitials:-extra atoms positioned between atomic sites.RareImpurities In SolidsTwo outcomes if impurity (B) added to host (A):? Solid solution of B in A (i.e., random dist. of point defects)ORSubstitutional alloy(e.g., Cu in Ni)Interstitial alloy(e.g., C in Fe)cation vacancy2+Ca+Na+Na2+Ca2+initial geometryCa impurityresulting geometryImpurities in Ceramics? Impurities must also satisfy charge balance? Ex: NaCl? Substitutional cation impurity? Substitutional anion impurity 二、 按缺陷产生的原因分类晶体缺陷辐照缺陷电荷缺陷热缺陷杂质缺陷非化学计量缺陷1. 热缺陷 定义:热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。类型:弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）和肖特基缺陷（Schottky defect）T E热起伏(涨落) E原子 E平均 原子脱离其平衡位置 在原来位置上产生一个空位热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时，热缺陷浓度增加（a）单质中弗仑克尔缺陷的形成（空位与间隙质点成对出现）（b）单质中的肖特基缺陷的形成热缺陷产生示意图 3) 两种热缺陷可共存，但一种为主要的② 表面位置 (间隙小/结构紧凑)① 间隙位置 (结构空隙大)M X:Frenkel 缺陷Schottky 缺陷2. 杂质缺陷 定义:亦称为组成缺陷，是由外加杂质的引入所产生的缺陷。特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内，则杂质缺陷的浓度与温度无关。杂质缺陷与热缺陷的重要区别：与温度无关杂质原子杂质原子基质原子基质原子间隙式 取代式 杂质进入晶体→形成固溶体，破坏原有原子周期势场，使晶体的组成、结构及性质发生变化若取代离子价态与被取代离子不同，则还会引入空位或离子价态的变化 3. 非化学计量缺陷 定义: 指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。如Fe1－xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。特点: 其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。是一种半导体材料。 4.电荷缺陷：晶体内原子、离子外层电子受外界激光（光、热），部分电子脱离原子核束缚，成为自由电子e，对应留下空穴he带负