先进制造与新材料科技专辑2007年第14期-武汉文献情报中心-中国.PDF

中国科学院国家科学图书馆 科学研究动态监测快报 2007 年 7 月 15 日 第 14 期（总第 36 期） 先进制造与新材料科技专辑 中国科学院国家科学图书馆武汉分馆主办 ═════════════════════════════════════════════════════ 中国科学院国家科学图书馆武汉分馆 武汉市武昌区小洪山西 25 号 邮编：430071 电话：027 电子邮件：jiance@ 先进制造与新材料科技专辑 2007 年第 14 期 （总36 期） 目 录 专 题 宽禁带半导体器件的发展与应用 1 研究进展 实验证实金属表面存在新型电子波 9 纳米硅环成就新型单分子探测器 10 兼备金属和塑料优点的全新超轻纳米复合材料 10 短 讯 桑迪亚实验室开发出低成本自适应光学系统 11 可遥控的纳米机械 11 利用磁体控制液体颜色的新技术 12 纳米晶体技术——燃料电池发展的关键 12 挑战传统超导理论的新模型——“泡沫”理论 12 碳纳米管有望用于人造组织和肌体 13 科学家制作出首个热晶体管 13 高温超导材料新的能谱异常被发现 13 美科学家用石墨烯制成新型自旋电子管 14 出版日期：2007 年 7 月 15 日 专 题 宽禁带半导体器件的发展与应用 编者按：20 世纪 70 年代以来以硅材料为基础的半导体微电子工业发展已逐渐 走向极限。而随着技术的突破，以 SiC、GaN 、ZnO 为代表的宽禁带半导体材料在 光电器件、大功率、高温电子器件等方面展现出越来越巨大的潜力，世界各国政府 机构、企业及风险投资公司也因此加大了对宽禁带半导体材料及其器件的研发投入 和支持。本文对宽禁带半导体材料在光电、电子器件方面的发展与应用予以介绍。 1 宽禁带半导体简介 宽禁带（WBG ）半导体是指禁带宽度在2.0～6.0ev 之间的一类半导体，如碳化 硅（SiC）、氮化镓（GaN ）、4H 碳化硅（4H-SiC ）、6H 碳化硅（6H-SiC ）、氮化铝（AlN ） 以及氮化镓铝（AlGaN ）等，是继以Si、GaAs 为代表的第一、二代半导体之后发展 起来的第三代半导体。 20 世纪80 年代后期至90 年代初，随着SiC 单晶生长技术和GaN 异质结外延等 技术的突破，宽禁带半导体器件的研制和应用在近十余年来开始取得迅速的发展。 在电力电子、射频微波、蓝光激光器、紫外探测器和MEMS 器件等重要领域，利用 宽禁带半导体材料制造的实用化器件已经显示出比Si 和GaAs 更优异的特性，并开 始取得非常引人注目的进展。 下文针对宽禁带半导体在光学、电力电子以及各种新型器件方面的应用，对其 特点与发展做了简要的介绍。 2 宽禁带半导体的应用领域 2.1 光学器件 宽禁带半导体具有很高的带隙能，这直接关系到光学器件的发射和吸收波长。 典型的宽禁带半导体发射和吸收波长处于可见光谱的绿光、蓝光、紫光以及紫外波 段。例如，蓝色发光二极管所用的材料就是宽禁带半导体。因此，在通常情况下， 宽禁带半导体拥有比红光波长短的光学吸收边。 使用宽禁带半导体的光学器件包括发光二极管（LED ）、激光二极管（LD ）、光 电二极管、光电传感器、电调制器和光-光调制器（optical-optical modulation device ） 等。半导体发光器件比其它光源体积小、重量轻、效率高，并且有很长的使用寿命。 而宽禁带半导体在电子产业中变得越来越重要，其应用领域包括：全彩色显示器光 源、白光照明、紫外/深紫外光源，以及用于高密度DVD 的蓝紫激光二极管。尽管 全世界都在强烈关注用于蓝光LED 的宽禁带半导体，GaN 基PN 结的制作技术突破 还是经历了很长的时间。 1 2.1.1 宽禁带半导体