第四章通用vlsi.pptxVIP

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2018-10-08 发布于上海
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第四章通用vlsi.pptx

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第四章通用vlsi

;;§4-1 只读存贮器（ROM）;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-1 掩膜ROM;§4-1-2 可编程ROM（PROM）;§4-1-3 EPROM;§4-1-3 EPROM;§4-1-4 EEPROM;§4-1-4 EEPROM;§4-1-4 EEPROM;§4-1-4 EEPROM;§4-1-5 ROM的种类与特点;;§4-2-1 六管SRAM单元;§4-2-1 六管SRAM单元;§4-2-2 CMOS-SRAM;;§4-3-1 三管DRAM;§4-3-2 单管DRAM;§4-3-2 单管DRAM;§4-3-2 单管DRAM;§4-3-2 单管DRAM;;§4-4-1 门阵列;§4-4-1 门阵列;§4-4-1 门阵列;§4-4-2 可编程逻辑器件（PLD）;PLD原理 PLD缓冲器 PLD阵列交叉点连接方式硬线连接——交叉处标记为“?” 被编程单元——交叉处标记为“ⅹ” 被擦除单元——交叉处无标记;PLD原理 PLD与门;PLD原理 PLD或门;低密度PLD的主要类型;PROM结构;FPLA结构;PAL和GAL 基本阵列;§4-4-2 可编程逻辑器件（PLD）;§4-4-2 可编程逻辑器件（PLD）;§4-4-2 可编程逻辑器件（PLD）;现场可编程门阵列（FPGA）高密度可编程逻辑器件阵列由三部分组成可配置逻辑模块CLB 输入/输出模块IOB 互连资源ICR ;图8-4-1 XC4000系列FPGA基本结构;§4-4-2 可编程逻辑器件（PLD）;§4-4-2 可编程逻辑器件（PLD）;PLD的设计过程;设计准备选择系统方案选择合适的器件设计输入原理图输入硬件描述语言输入;设计处理编译、适配编程文件设计校验功能仿真时序仿真器件编程数据配置