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氯硅烷中碳杂质的测定方法送审稿-中国有色金属标准质量信息网.DOC
YS ××××—201×
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中华人民共和国工业和信息化部 发布××××-××-××实施××××-
中华人民共和国工业和信息化部 发布
××××-××-××实施
××××-××-××发布
氯硅烷中碳杂质的测定方法
——甲基二氯氢硅的测定
Test Method for Measuring carboncontaining compound in chlorosilane
——Determination of Methyldichlorosilane
(送审稿)
YS/T xxxx-201x
i
YS
中华人民共和国有色金属行业标准
ICS 29.045
H 17
YS/T ××××—××××
YS/T ××××—××××
PAGE II
前 言
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。
本标准负责起草单位:四川新光硅业科技有限责任公司。
本标准参加起草单位:乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、洛阳中硅高科技有限公司、南京中锗科技股份有限公司。
本标准主要起草人:敖细平、王波、黄代文、梁洪、刘畅、张新、李强、杨艳芬。
本标准首次发布。
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氯硅烷中碳杂质的测定方法
——甲基二氯氢硅的测定
第一部分:三氯氢硅中甲基二氯氢硅的测定方法
1 范围
1.1 本标准规定了三氯氢硅中甲基二氯氢硅的测定方法。
1.2 本标准适用于三氯氢硅中甲基二氯氢硅的测定。
1.3 本标准检测范围为0.00001%~1.00%。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 4844.3 高纯氦
3 方法原理
本标准使用内标法,利用气相色谱-质谱仪(GC-MS)测量三氯氢硅中的碳杂质含量。气相色谱-质谱仪通过极性毛细管色谱柱将三氯氢硅主体和碳杂质分开,确定其保留时间。利用吹扫装置将气相色谱分离后的三氯氢硅主体排出,将碳杂质导入质谱仪进行分析。用气相色谱-质谱仪的定性模式对样品三氯氢硅中碳杂质进行全扫描分析,仅发现有甲基二氯氢硅离子峰的存在,因此本标准主要对三氯氢硅中的甲基二氯氢硅进行分析。
4 试剂和材料
除非另有说明,分析时均使用符合国家标准的试剂或材料。
4.1 高纯氦气:符合GB/T 4844.3中规定的的技术要求。
4.2 甲基二氯氢硅,色谱纯。
4.3 1,2-二氯乙烷,色谱纯。
4.4 正辛烷,色谱纯。
4.5 三氯氢硅,光谱纯。
5 仪器和设备
5.1 气相色谱-质谱仪
在仪器最佳工作条件下凡是能达到下列指标者均可使用:
——气相色谱各温度控制:温度范围优于20~300℃;
——气相色谱程序升温:优于10阶;
——质谱范围:优于1.5~1090 amu;
——质谱分辨率:优于2M 单位质量分辨。
5.2 极性毛细管色谱柱。
5.3 电子分析天平,精确至0.0001g。
5.4 微量进样器,25μL。
5.5 注射器,1mL。
5.6 色谱进样瓶,容量5mL。
6 分析步骤
6.1 分析环境要求
6.1.1 温度:18~25
6.1.2
6.2 参考分析条件
6.2.1 进样口温度:180℃;
6.2.2 接口温度:200℃;
6.2.3 离子源温度:200℃
6.2.4 柱温(程序升温):初始温度30℃,保持2min;以10℃/min速度上升到70℃,保持2min;再以40℃/min的速度上升至150℃,保持3min。
6.3 K值的测定
6.3.1 K表示甲基二氯氢硅与内标物1,2-二氯乙烷的相对灵敏系数。
6.3
在色谱进样瓶中加正辛烷和光谱纯三氯氢硅,使其质量比为2:1,摇匀。再加入一定量的甲基二氯氢硅和1,2-二氯乙烷使其含量分别为Y1和Y2(质量比),混匀,备用。
6.3.
将2μL混合液用微量进样器注入气相色谱-质谱仪进行测定,测出甲基二氯氢硅和1,2-二氯乙烷的离子峰面积,以确定灵敏系数K的值。K值按下式计算:
………………………………………(1)
式中:
Y1——溶剂中甲基二氯氢硅的含量(g/g);
Y2——溶剂中1,2-二氯乙烷的含量(g/g);
A1——甲基二氯氢硅的离子峰面积;
A2——1,2-二氯乙烷的离子峰面积。
6.3.4 K值的确定
至少重复四次6.3.2、6.3.3步骤,分
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