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D-T 中子源快中子照相准直屏蔽系统设计窦海峰 唐 彬 吴 洋（中国工程物理研究院 核物理与化学研究所 绵阳 621900）摘要 减少散射中子对成像质量的影响是快中子照相的关键技术之一。本文采用 MCNP 程序完成了 D-T D-T 中子源快中子照相准直屏蔽系统设计 窦海峰 唐 彬 吴 洋 （中国工程物理研究院 核物理与化学研究所 绵阳 621900） 摘要 减少散射中子对成像质量的影响是快中子照相的关键技术之一。本文采用 MCNP 程序完成了 D-T 中子 源快中子照相准直屏蔽系统的设计，该设计具有很好的中子散射屏蔽效果，能够将实验室墙壁的散射中子数 量降低一个量级，大大减少了成像的对比度失真；同时，能够增加约 20%的中子源强，提高了成像速度。 关键词 快中子照相，散射中子，D-T 中子源，准直屏蔽系统 中图分类号 TL99 快中子照相(FNR)具有很高的穿透能力，可用 于检测复合材料中轻、重元素的分布，也可用于大 铸件内部结构的缺陷检查、航空器件的锈蚀检测、 考古文物的分析以及爆炸物的检查等。由于快中子 能轻易穿透高 Z 材料与内部的低 Z 材料反应，美国 核安全部(NNSA)把 FNR 列为评价核武库安全的重 要手段[1,2]。 快中子散射(包括样品散射和环境散射)是影响 快中子成像质量的主要因素[3] 。由于实验所用的 D-T 中子源近似为各向同性分布源，大量的源中子 会经过与实验室内装置及实验室墙壁的散射到达转 换屏，这部分散射中子对快中子照相的结果影响很 大。本文主要采用蒙特卡洛方法分析了实验室环境 对快中子的散射[4–6]，初步完成了快中子照相屏蔽装 置设计。 1 FNR 散射分析 设为 Φ20 cm×12 cm 的圆柱状 238U 样品，实验 室空间为 16 m×16 m×3.5 m，墙壁混凝土密度为 2.3 t/m3，靶点位于实验室平面中心，距地面 1.5 m，距 屋顶 2 m；源物距 2 m，物屏距 1 m。起始中子数为 6.8×1010 n·s–1·sr–1，对有、无实验室墙壁进行模拟分 析，所得屏中心点各能区中子的归一化计数见表 1。 表 1 有、无实验室墙壁时相对中子计数比较 Table 1 Comparison of neutron number with or without the wall of the lab. 能区 Energies /MeV 0–0.1 0.1–1 1–2 2–3 3–4 4–5 5–6 6–7 4.93×10–7 1.95×10–9 7–8 3.72×10–9 6.39×10–10 1.79×10–7 2.34×10–8 8–9 4.34×10–9 2.69×10–10 9.05×10–8 6.98×10–9 9–10 5.36×10–9 1.96×10–10 7.04×10–8 3.28×10–9 10–11 1.03×10–8 1.03×10–10 3.79×10–8 2.21×10–9 11–12 1.94×10–8 1.81×10–9 2.53×10–8 1.29×10–9 12–13 2.1×10–8 2.33×10–9 2.69×10–8 1.22×10–9 13–14 1.18×10–7 1.14×10–7 1.34×10–8 1.15×10–9 Total 1.12×10–6 1.62×10–7 有墙壁 With wall 无墙壁 No wall 能区 Energies /MeV 有墙壁 With wall 无墙壁 No wall 由 MCNP 程序[7]模拟分析，一个源中子透射样 品的概率(相对中子计数)为 5.09×10–8。表 1 结果表 明，实验室墙壁的散射可使到达屏位置的中子计数 提高将近一个量级；实验室墙壁散射中子经过多次 散射，有约 1/2 处于 1 MeV 以下，可通过合适的介 质进行吸收。 为降低环境散射对快中子成像的影响，须有快 中子屏蔽装置：在加速器靶点位置加准直屏蔽系统， —————————————— 中国工程物理研究院科学技术发展基金(2008B0103002)资助 减小中子源向实验室空间的辐射；在成像系统处加 成像装置屏蔽系统，降低散射中子到达成像屏位置 的数量(图 1)。 2 准直屏蔽系统设计 FNR 准直屏蔽系统的功能，一是提高样品位置 中子注量率；二是对中子束准直；三是降低散射中 第一作者：窦海峰，男，1979 年出生，助理研究员，2005 年于中国工程物理研究院获硕士学位，从事反应堆物理及核技术应用 收稿日期：2010-04-15，修回日期：2010-07-25 第 10 期窦海峰等：D-T 中子源快中子照相准直屏蔽系统设计755子对成像质量的影响，即散射中子尽可能低，也能降低环境剂量水平。在