典型特性曲线续.DOCVIP

SVD1N70B/M/T PAGE 版本号：1.0 2009.12.16 共7页 第 PAGE 1页 1A、700V N沟道增强型场效应管 描述 SVD1N70B/M/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。 特点 1A，700V，RDS(on)(典型值)=11.3?@VGS 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了dv/dt 能力 订货说明 产 品 名 称 封装形式 打印名称 包装形式 SVD1N7 TO-251-3L SVD1N7 料管 SVD1N70T TO-220-3L SVD1N70T 料管 SVD1N70B TO-92-3L 1N70B 袋装 SVD1N70BTR TO-92-3L 1N70B 编带 极限参数(除非特殊说明，TC=25?C 参 数 名 称 符 号 参 数 范 围 单位 SVD1N70B SVD1N70M SVD1N70T 漏源电压 VDS 700 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流 ID 1.0 A 耗散功率（TC=25? - 大于25?C每摄氏度减少 PD 3 28 32 W 0.025 0.22 0.31 W/?C 单脉冲雪崩能量（注 1） EAS 7.2 mJ 工作结温 TJ -55～+150 ?C 贮存温度 Tstg -55～+150 ?C 热阻特性 参 数 名 称 符 号 参 数 范 围 单位 SVD1N70B SVD1N70M SVD1N70T 芯片对管壳热阻 RθJC 0.5 4.0 2.71 ?C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 120 110 62.5 ?C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25? 参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V， ID=250μA 700 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=700V，VGS=0V -- -- 10 μA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250μA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=0.5 -- 11.3 14.5 ? 输入电容 Ciss VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz -- 150 200 pF 输出电容 Coss -- 17 26 反向传输电容 Crss -- 2.2 4.0 开启延迟时间 td(on) VDD=350V，ID=0.8A, RG=25? (Note 2,3) -- 8 40 ns 开启上升时间 tr -- 9 60 关断延迟时间 td(off) -- 36 50 关断下降时间 tf -- 11 70 栅极电荷量 Qg VDS=560V，ID=0.8A, VGS=10V (Note 2,3) -- 5.6 6.0 nC 栅极-源极电荷量 Qgs -- 1 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 2.5 -- 源-漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS管中源极、漏极构成的反偏P-N结 -- -- 1.2 A 源极脉冲电流 ISM -- -- 4.8 源-漏二极管压降 VSD IS=1.0A,VGS -- -- 1.5 V 反向恢复时间 Trr IS=1.0A,VGS dIF/dt=100A/μs（注2） -- 160 -- ns 反向恢复电荷 Qrr -- 0.3 -- μC 注： L=10mH，IAS=1.2A，VDD=50V，开始温度 TJ 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 基本上不受工作温度的影响。 命名规则 典型特性曲线 典型特性曲线(续) 典型测试电路 封装外形图 TO-220- UNIT: mm TO-251-3 UNIT: mm 封装外形图（续） TO-92-3L 单位: mm TO-92-3L 单位: mm 声明：