黄铜晶间腐蚀机理的试验及模拟研究-表面技术.PDF

表面技术 第47 卷 第 8 期 ·244 · SURFACE TECHNOLOGY 2018 年8 月 黄铜晶间腐蚀机理的实验及模拟研究 1 2 3 3 3 1 杨志勇 ，李明哲 ，郝义磊 ，刘凯俐 ，司慧玲 ，刘冬梅 （1.中石化西北油田分公司，乌鲁木齐 830011；2.天津大学 电子信息工程学院电子信息 工程系，天津 300072；3.中国石油大学（华东）理学院，山东 青岛 266580） 摘 要： 目的 为了探究黄铜在含氨介质中的晶间腐蚀加速试验方法，明确黄铜中 Zn 含量对晶间腐蚀敏感 性的影响规律和机理。方法 采用电化学方法加速实现了黄铜表面的晶间腐蚀过程，利用 XRD 和金相显微 镜分析腐蚀产物及表面形貌，对比分析H70 和H80 黄铜的晶间腐蚀规律。使用Materials Studio 中的DMol3 + 模块模拟NH 和NH 在H70 和H80 黄铜晶界表面的吸附和反应过程，对比腐蚀粒子在黄铜表面的吸附规律 4 3 和反应能垒，揭示黄铜晶间腐蚀敏感性的机理。结果 试验结果表明，在NH4Cl 溶液中，以100 倍自腐蚀电 流密度恒电流处理的黄铜，在4 h 内能够发生明显的晶间腐蚀。黄铜晶间腐蚀的产物主要为铜氨络合物和锌 + 氨络合物，H70 黄铜的晶间腐蚀敏感性大于H80 黄铜。模拟研究表明，NH Cl 溶液中的NH 会优先在黄铜 4 4 + + 表面的晶界处发生物理吸附，随后NH 跨越 1.15 eV （H70 ）和1.17 eV （H80 ）反应能垒分解为NH 和H ， 4 3 其中NH3 优先吸附于晶界中偏析的Zn 原子顶位形成络合物，其次与晶界的Cu 形成络合物，H70 晶界中的 Zn 含量更高，因此 H70 的晶间腐蚀敏感性更强。结论 通过电化学恒电流处理法将黄铜的晶间腐蚀发生时 间从7 d 减少到4 h ，并通过量子化学计算和腐蚀产物分析确定了黄铜在NH4Cl 溶液中发生晶间腐蚀的机理。 关键词：黄铜；晶间腐蚀；电化学法；第一性原理 中图分类号：TG172 文献标识码：A 文章编号：1001-3660(2018)08-0244-07 DOI ：10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2018.08.033 Experimental and Simulation Study on Intergranular