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  • 2018-10-19 发布于浙江
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10存储qdu2

第10章 多媒体存储技术 多媒体存储技术 存储器能在一定条件下“记住”数字信息 多媒体系统需要存储器来存储大容量的对象;既要考虑存储介质,又要考虑存储策略。 介绍 半导体存储技术 磁盘存储系统 光碟存储系统 存储策略 半导体存储技术 速度最快的存储介质。 根据写入特性分类: 随机存取存储器(RAM,Random-Access Memory) 只读存储器(ROM,Read-Only Memory) 例如 Flash memory(闪速存储器) ROM SRAM(静态随机存取存储器) EPROM(可电编程只读存储器) EEPROM(可电擦除编程只读存储器) DRAM(动态随机存取存储器)等。 RAM 最常用的计算机内存储器。 随机存取存储器(random access memory):如果知道任何一个存储单元对应行和列,就能直接存取(访问)它。 常见的RAM类型 SRAM (Static random access memory,静态随机存储器): 基本单元使用的是多个晶体管,通常是四个或者是六个 应用示例:高速缓存(cache memory),解决CPU中高速寄存器存取与存储器存取之间的时间差异。 常见的RAM类型(续) DRAM(Dynamic random access memory,动态随机存取存储器) 由一对晶体管和电容搭配组成的,需要定期刷新。 比SRAM便利。 常见的RAM类型(续) FPM DRAM(Fast page mode dynamic random access memory,快速页面模式动态随机存取存储器) 原始的动态随机存取存储器,它必须等通过行和列定位和读出当前比特的全部操作过程完成时才能对下一个单元进行操作。 EDO DRAM(Extended data-out dynamic random access memory,扩展数据输出动态随机存取存储器) 不必等上一个比特的数据操作完再进行下一个操作。 常见的RAM类型(续) SDRAM (Synchronous dynamic random access memory,同步动态随机存取存储器) 利用突发模式工作。 RDRAM (Rambus dynamic random access memory,存储器总线动态随机存取存储器) 根据存储器总线设计,采用存储器总线线存储器模块(RIMM) 信用卡存储器(Credit card memory) 一种专用的自我控制的DRAM存储模块 PCMCIA存储器卡 另一种自我控制的DRAM模块 常见的RAM类型(续) VRAM (Video RAM,视频RAM ) 也称为多口动态随机存取存储器(MPDRAM,multiport dynamic random access memory) “多口”:既有随机存取存储器又有顺序存取存储器。 特别适用于显示适配器或3D加速器的RAM。 存储器模块 只读存储器 (ROM ) ROM(Read-only memory ):也被称作固件(firmware),在制造时就做成以指定数据编程的集成电路。 特性: 储存在这些芯片中的数据是非易失性的。断电时, 它不被丢失。 储存在这些芯片中的数据是不可更改的,或者需要特别的操作来更改 (不像随机存取储存器, 读取和更改都很容易) 。 只读存储器 (续) 基本ROM 类型 (1)ROM芯片:要求生成ROM芯片的时候,就得以正确完整的数据进行编程。不能够重新编程或重写一枚标准的 ROM 芯片。 (2)PROM(programmable read-only memory,可编程只读存储器):只能被编程一次。 (3)EPROM(Erasable programmable read-only memory,可擦[可]编程只读存储器):能被多次重写。但擦除EPROM 需要一个能发射出一定频率的紫外线(UV,ultraviolet)的特殊工具,写EPROM也需要专门的工具。 (4)EEPROM(Electrically erasable programmable read-only memory,可电擦[可]编程只读存储器):不用紫外线光,而通过对各单元的局部化的电场作用使各单元中的电子恢复到常态达到擦除EEPROM的目标单元,然后此单元就能被重写。EEPROM一次改变一字节,这使它们很灵活,但是速度却较慢。 (5)Flash memory(闪速存储器):是一种EEPROM,采用电路内置线,通过将电场施加到整个芯片或芯片中被称为块(block)的预定区域,实现擦除。 PROM 初始态(空白态)是全1:每个行列交叉处都有一个保险丝(fuse)来连接它们。 烧PROM:使用编程器发送指定值给相应单元,将保险丝熔断,该单

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