迈向高附加价值之路内存IC和逻辑IC整合技术发展趋势.docVIP

迈向高附加价值之路内存IC和逻辑IC整合技术发展趋势 　　一、内存立?w封装技术发展趋势 　　 　　随着电子系统产品往轻、薄、短、小、多、省、廉、快、美等发展趋势下，促使半导?w技术朝两大方向发展，一是制程技术依照摩尔定(Moore’sLaw)不断微缩(More Moore)，Ic产品每隔1，5年左右制程微缩技术就会进入下一个世代，使得在相同面积下可容纳的晶?w管数目倍增；二是高度半导?w部件整合(More Than Moore)，就是Ic将整合不同功能、甚至是异质的部件(例如Logic、Analog、HV Power、Sensors、Blochips等)，达到系统层级的目标。 　　目前半导?w的发展除了制程微缩技术之外，例如DRAM进入3xnm以及NAND Flash进入2xnm，还有SoC、SiP、以及3D Ic(TsV)?w封装等重要技术，而这些技术的发展涉及半导?w产业上下游的资源投入与整合，将可能使半导?w产业生态发生重大变革。 　　以Apple之iPhone 3Gs手机为例，其CPU为Samsung生产提供，采用PoP(package on paekage)封装方式将CPU与256MB Mobile DDR SDRAM整合。Apple之iPhone 4手机之CPU也为Samsung生产提供，采用PoP封装方式将CPU与512MB Mobile DDRSDRAM整合。 　　除PoP封装方式外，近年来使用硅穿孔(Throughsilicon vias；TSV)技术的硅／玻璃中介层(silicon／Glass interposers)出现，使得3D Ic的可能性大为增加。3D silicon／glaSS interposers结合了晶圆级的技术和3D布线能力的优点。目前3D interposers进入了封装载板的竞争领域，并让已建置半导?w中后段制程设备的厂商带来新增长的商机。 　　 　　二、全球内存3D IC相关应用产品市场 　　 　　3D TSV／Interposers主要可区分为8种应用类别，包含CMOS image sensors、MEMS and sensors、HB LED modules、Stacked memories、Power＆Analog、Wireless SiP、Logic+Memory、Logic 3DSOC／SiP等。 　　和内存相关的部分，如stacked memories及Logic+memory等。Stacked memories主要又可分为Stacked DRAM及Stacked NAND Flash。 　　2012年随着4G通信技术的应用，手机里TSV技术应用于逻辑和内存的整合将会起飞，至2015年逻辑和内存整合(Logic+Memory)的应用占3D Ic总产值近50％，为3D Ic最主要应用市场。在Stacked DRAM应用部分，预估至201 5年占3D Ic总产值约5％左右。在Stacked NAND Flash应用部分，预估至2015年占3D IC,总产值约5％左右。 　　Memory与Logic整合的驱动力包含可提升效能、散热效益、及易于整合和弹性。在提升效能部分，interposer可让Memory与Logic之间的数据传输更快速，具有更高的带宽，如wide I／O接口。在散热效益部分，interposer可扮演散热的功能，防止热集中在Logic及Memory。 　　在易于整合和弹性部分，可随时按照市场价格来选购适合的Logic及Memory产品，interposer可以让Logic与Memory易于整合。目前，Memory与Logic的interposer整合应用还在研发阶段，但已有许多厂商进行研究测试，例如手机的应用处理器、GPU、CPU等等。 　　 　　三、智能手持装置用DRAM朝向wide I／O接口与LP DDR3架构发展 　　 　　随着手机和平板计算机的屏幕不断增大，WVGA(800x480)或更高阶的屏幕快速增长。4英寸或4英寸以上的屏幕将成为主流。加上屏幕的分辨率不断倍增，对内存的带宽需求明显增加。在数据传输越来越快速的要求下，过去传统Logic与Memory之间的连结与整合，需要不断提升运作频率，这会造成高耗能、局部热点、信号不稳定等问题。 　　在wi de I／O接口下，因采用TSV技术，使得Logic与Memory之问的连结距离很短，可有效提升2倍的频率。有5倍到100倍高的数据传输信道。有较少的I／O buffers可降低功耗15％，以及较小的面积、降低成本、散热等好处。 　　随着智能手持装置，如手机功能变多与效能不断提升，其应用处理器效能与Mobile DRAM的带宽也不断上升。Mobile DRAM从