不同条件下低介电常数材料机械性的研究.docVIP

不同条件下低介电常数材料机械性的研究 　　【摘 要】目前最新的组件结构均采用低介电常数材料及铜导线技术来降低多层金属联机中时间延迟效应。低介电常数材料多为组织松散，机械强度不理想，故低介电常数材料是多层金属导线，外力将易于跨越材料之降伏强度，势必导致断线之危机，进而破坏组件的运作。针对低介电常数材料的机械性质，首先探讨低介电常数材料本身的机械性质；其次探讨低介电常数材料和相邻材料的附着性质。 　　【关键词】电常数材料；铜导线；多层金属导线 　　1.简介 　　在先进的集成电路多层金属导线设计准则中，0.18世代之最小金属间距已小于0.25微米；为了降低集成电路组件操作时的时间延迟及功率消耗，金属间的隔绝材料使用低介电常数材料乃是必要的。另一方面，芯片封装技术亦伴随着集成电路多层金属导线尺寸的快速缩小，而面临相同的困境。 　　由于低介电常数材料使用的必然性及可预期的广大市场需求，过去几年来，全世界半导体材料供货商及研发中心均致力于发展质量合乎新世代集成电路要求的低介电常数材料。大约有100种左右不同的低介电常数材料，以化学气相沉积、旋涂式沉积或其他方式制备而成，然而经由电性质、热性质及机械性质鉴定后，仅有少数低介电常数材料符合基本物理及化学性质要求；对于制程整合的考虑更进一步淘汰了一些物性及化性稳定的低介电常数材料。所以目前建议可能使用的低介电常数材料，大致上仅剩（I）有机硅酸盐类和（II）有机高分子相关材料两大类。尽管如此，这两大类低介电常数材料并非完美，基本结构的改进仍有许多空间需努力。 　　针对低介电常数材料的机械性质。低介电常数材料的机械性质包含两个主要部分；第一部分为材料本身的机械性质，硬度及薄膜应力为两个重要指标。一般而言，为了达到低介电性质，低介电常数材料多为组织松散的多孔性材质，弹性模数只有传统二氧化硅（72 GPa）的1/10到1/5倍，热膨胀系数则比传统二氧化硅大4到10倍；低介电常数薄膜应力通常为相对值不大的张应力，此特性亦有别于传统二氧化硅。低硬度、高热膨胀系数及张应力均隐含着低破坏韧性及低破裂阻抗的物理意义。此举意味着低介电常数薄膜遭受外力时的稳定性比传统二氧化硅差。 　　低介电常数材料机械性质的第二部分为低介电常数材料和相邻材料的附着性质，基材和沉积薄膜的化学和物理作用控制着接触界面的破坏韧性，两接触材料在制造过程及组件运作时的热膨胀系数差异，引发的力学不平衡是接触界面可靠性问题的主要来源之一。故低介电常数材料组成今日多层金属导线之架构，外力将易于跨越材料之降伏强度，势必导致断线之危机，进而破坏组件之运作。在下面章节里，将介绍低介电常数材料薄膜的机械性质量测基本原理与方法，并就一些现有量测结果提出讨论。 　　2.薄膜机械性质量测基本原理与方法 　　2.1 薄膜硬度量测基本原理与方法 　　薄膜的硬度量测需借助毫微刻痕测试机，此硬度计使用修正面积后之压子，以设定速度、增加力量的方式压入试片；为了避免基材影响测试结果，最大压入深度不可超过1/10薄膜厚度。由负荷─压痕位移关系图的初始释放曲线斜率，可计算薄膜的折合弹性模数和硬度其中S为薄膜的刚度，P为负荷，h为压痕位移，Er为折合弹性模数，A为压子和薄膜接触面积。 　　薄膜的硬度?zH?{与最大负荷及压子和薄膜接触面积?zA?{的关系为压子和薄膜接触面积?zA?{可由公式（4）计算求得其中hc为沿初始释放曲线斜率在压痕位移坐标的截距。 　　2.2 薄膜应力及热膨胀系数量测基本原理与方法 　　薄膜形貌量测仪经由量测未镀膜及镀膜晶圆曲率半径的差异可决定薄膜的应力（σ）[3，4]其中Es、ts、νs分别为基材的弹性模数、厚度及波松比，tf为薄膜厚度，Rf、Ro分别为晶圆镀膜及未镀膜时的曲率半径。 　　2.3 附着力量测基本原理与方法 　　两接触基材的热力学附着功?zWa?{基本上可区分为分散作用?zWad?{和非分散作用?zWan-d?{两种型式。其中分散作用可由两接触基材的表面能来决定；即非分散作用则包括偶极─偶极，偶极感应偶极，酸碱反应─包括氢键反应。所以接面热力学附着功可写成。 　　如果两接触基材接面的化学作用不强，则热力学附着功只考虑分散作用即可对一液体在一平滑、均质、稳固、各方向同性的固体表面的系统中，表面能和接触角的关系。对高表面能液体在低表面能固体表面接触的情况下，热力学附着功可表示为所以分散作用若为主要作用。 　　3.低介电常数薄膜机械性质量测结果与讨论 　　3.1 低介电常数薄膜硬度 　　经由旋涂、烘烤、固化等步骤，其结构可由笼状转变成网状的多孔性组织，使得HSQ薄膜具有介电常数小于3的低介电常数特性。此结果指出HSQ薄膜的硬度和弹性模数随着固化温度的增加而增加，其原因乃是HSQ中的Si-H键结分解量随着固化