嵌入式系统基础教程05lpc系列arm58.pptxVIP

5.5 存储器加速模块（MAM）概述 LPC2114/2124/2210/2212/2214微控制器的ARM内核工作在最高频率60MHz时，执行一条指令约为17ns。而Flash存储器的访问周期需要50ns，即最高频率20MHz。所以如果将代码存放在Flash中，将影响ARM内核发挥最大效能。为了能将指令从内部Flash存储器更高效快速地提取到ARM内核，而设计产生了一个存储器加速模块（MAM）。Flash存储器组0Flash存储器组1总线接口Flash存储器组0Flash存储器组1ARM局部总线预取指缓存预取指缓存分支跟踪缓存分支跟踪缓存2×128位2×128位数据缓存区选择数据缓存区预取指缓存预取指缓存选择分支跟踪缓存分支跟踪缓存MAM结构使能MAM模块后，ARM内核将通过MAM模块访问Flash存储器。总线接口总线接口Flash存储器组1Flash存储器组0Flash存储器组1预取指缓存分支跟踪缓存ARM局部总线预取指缓存预取指缓存分支跟踪缓存分支跟踪缓存2×128位2×128位预取指缓存数据缓存区Flash存储器组0分支跟踪缓存选择预取指缓存预取指缓存分支跟踪缓存分支跟踪缓存预取指缓存预取指缓存分支跟踪缓存分支跟踪缓存MAM结构使能MAM模块后，ARM内核将通过MAM模块访问Flash存储器。MAM模块中的数据总线宽度为128位，所以一次读取操作可以读出4条ARM指令或8条Thumb指令。Flash存储器被分为两组，当CPU执行其中一组Flash内的指令时，另一组进行读取缓存操作。每个Flash组包含预取指缓存和分支跟踪缓存。MAM结构预取指缓存区保存有将要执行的指令。而分支跟踪缓存区保存有程序跳转后可能执行到的指令。总线接口Flash存储器组0Flash存储器组1当程序向前跳转时，尝试从预取指缓存区取指。ARM局部总线当程序向后跳转时，尝试从分支跟踪缓存区取指。预取指缓存预取指缓存分支跟踪缓存分支跟踪缓存2×128位2×128位如果程序跳转出缓存的范围，CPU将要停止，等待若干个周期，直到正确的指令从Flash中被读出。数据缓存区选择MAM结构Flash中除了存储指令之外，还可用来存储不修改或者很少修改的数据，所以在MAM模块中设计有数据缓冲区。数据缓存区可以提高顺序读取数据的操作速度。但是对随机读取操作几乎没有加速效果。总线接口Flash存储器组0Flash存储器组1ARM局部总线预取指缓存预取指缓存Flash编程由另一个独立的模块完成，Flash在进行编程操作时禁止访问。在编程操作结束后，缓存区的数据将自动失效，可以避免读取到无效的数据。分支跟踪缓存分支跟踪缓存2×128位2×128位数据缓存区数据缓存区选择5.5 存储器加速模块（MAM）存储器加速模块寄存器描述MAM控制寄存器(MAMCR)：位765432[1 : 0]功能－－－－－－模式控制MAMCR[1:0]：用于MAM的模式控制，具体关系如下表。MAMCR[1:0]描述00禁止MAM功能01部分使能MAM功能10完全使能MAM功能11保留5.5 存储器加速模块（MAM）存储器加速模块寄存器描述MAM定时寄存器(MAMTIM)：位76543[2 : 0]功能－－－－－取指周期控制MAMTIM[2:0]：决定使用多少个CCLK周期访问Flash存储器，这样可以调整MAM时序使其匹配处理器操作频率，具体关系如下表。MATIM[2:0]描述MATIM[2:0]描述000保留100取指周期为4个CCLK001取指周期为1个CCLK101取指周期为5个CCLK010取指周期为2个CCLK110取指周期为6个CCLK011取指周期为3个CCLK111取指周期为7个CCLK5.5 存储器加速模块（MAM）存储器加速模块寄存器描述MAM定时寄存器(MAMTIM)： 当访问周期设置为1个CCLk时，实际上关闭了MAM，但是仍可以选择MAM模式对功耗进行优化。注意：不正确的设定会导致器件的错误操作MATIM[2:0]描述MATIM[2:0]描述000保留100取指周期为4个CCLK001取指周期为1个CCLK101取指周期为5个CCLK010取指周期为2个CCLK110取指周期为6个CCLK011取指周期为3个CCLK111取指周期为7个CCLK5.5 存储器加速模块（MAM）MAM使用要点当改变MAM定时值时，必须先将MAMCR设置为0关闭MAM，然后将新值写入MAMTIM。最后将需要的操作模式的对应值（1或2）写入MAMCR，再次打开MAM；对于低于20MHz的系统时钟，MAMTIM设定为001，将Flash访问时间设定为1CCLK ；对于20MHz到40MHz之间的系统时钟，建议将Flash访问时间设定为2CCLK；高于40MHz的系统时钟，建议使用3CCLK