通过霍尔效应测磁场.docVIP

姓名：林铮 学号：P专业：十系自动化 实验题目：通过霍尔效应测量磁场 实验目的：通过霍尔元件测量磁场，判断霍尔元件载流子的类型，计算载流子的浓度和迁移速率，以及了解霍尔效应测试中的各种负效应以及消除的方法。 实验仪器：小磁针，霍尔效应组合仪包括电磁铁，霍尔样品和样品架，换向开关和接线柱，如下图所示： ???????? 测试仪由励磁恒流源IM，样品工作恒流源IS，数字电流表，数字毫伏表等组成，仪器面板如下图： 实验原理：1.通过霍尔效应测量磁场 霍尔效应实验装置如图2.3.1-1和图2.3.1-2所示。 将以半导体薄片放在垂直于它的磁场中（B的方向沿z轴方向），当在沿y轴方向的电极A、A`上施加电流I时，薄片内定向移动的载流子（设平均速率为u）受到洛仑兹力的作用， =quB （1） 无论载流子是负电荷还是正电荷，的方向均沿x方向，在此力的作用下，载流子发生偏移，产生电荷积累，从而在薄片B、B`两侧产生一个电位差，形成一个电场E。电场时载流子又受一个与方向相反的电场力， =qE=q/b （2） 其中b为薄片宽度，随电荷积累增多而增大，当达到稳恒状态时，两个力平衡，=，即 quB=q/b