半导体制造工艺_02硅实验室处理工艺.pptVIP

半导体制造工艺原理 第二章 实验室净化及硅片清洗 三道防线: 环境净化（clean room） 硅片清洗（wafer cleaning） 吸杂（gettering） 1、空气净化 From Intel Museum 净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数不超过X个。 0.5um 高效过滤 排气除尘 超细玻璃纤维构成的多孔过滤膜：过滤大颗粒，静电吸附小颗粒 泵循环系统 20～22?C 40～46％RH 由于集成电路內各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到灰尘、金属的污染，很容易造成芯片内电路功能的损坏，形成短路或断路，导致集成电路的失效！在现代的VLSI工厂中，75%的产品率下降都来源于硅芯片上的颗粒污染。 例1. 一集成电路厂 产量＝1000片/周×100芯片/片，芯片价格为$50/芯片，如果产率为50％，则正好保本。若要年赢利$10,000,000，产率增加需要为 产率提高3.8%，将带来年利润1千万美元！ 年开支=年产能 为1亿3千万 1000×100×52×$50×50% =$130,000,000 Contaminants may consist of particles, organic films (photoresist), heavy metals or alkali ions. 外来杂质的危害性 例2. MOS阈值电压受碱金属离子的影响 当tox＝10 nm，QM＝6.5×1011 cm-2（?10 ppm)时，DVth＝0.1 V 例3. MOS DRAM的刷新时间对重金属离子含量Nt的要求 ?＝10－15 cm2，vth=107 cm/s 若要求?G＝100 ms，则Nt?1012 cm-3 =0.02 ppb !! 颗粒粘附 所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。 颗粒来源： 空气 人体 设备 化学品 超级净化空气 风淋吹扫、防护服、面罩、手套等，机器手/人 特殊设计及材料 定期清洗 超纯化学品 去离子水 各种可能落在芯片表面的颗粒 粒子附着的机理：静电力，范德华力，化学键等 去除的机理有四种： 1氧化分解 2溶解 3对硅片表面轻微的腐蚀去除 4 粒子和硅片表面的电排斥 去除方法：SC-1, megasonic（超声清洗） 金属的玷污 来源：化学试剂，离子注入、反应离子刻蚀等工艺 量级：1010原子/cm2 影响： 在界面形成缺陷，影响器件性能，成品率下降 增加p-n结的漏电流，减少少数载流子的寿命 Fe, Cu, Ni, Cr, W, Ti… Na, K, Li… 不同工艺过程引入的金属污染 干法刻蚀 离子注入 去胶 水汽氧化 9 10 11 12 13 Log (concentration/cm2) Fe Ni Cu 金属杂质沉淀到硅表面的机理 通过金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换，和硅结合。（难以去除） 氧化时发生：硅在氧化时，杂质会进入 去除方法：使金属原子氧化变成可溶性离子 M Mz+ + z e- 去除溶液：SC-1, SC-2（H2O2：强氧化剂） 还原 氧化 有机物的玷污 来源： 环境中的有机蒸汽 存储容器 光刻胶的残留物 去除方法：强氧化 － 臭氧干法 － Piranha：H2SO4-H2O2 － 臭氧注入纯水 自然氧化层（Native Oxide） 在空气、水中迅速生长 带来的问题： 接触电阻增大 难实现选择性的CVD或外延 成为金属杂质源 难以生长金属硅化物 清洗工艺：HF＋H2O（ca. 1: 50） 2、硅片清洗 有机物/光刻胶的两种清除方法： 氧等离子体干法刻蚀：把光刻胶分解为气态CO2＋H2O （适用于大多数高分子膜） 注意：高温工艺过程会使污染物扩散进入硅片或薄膜 前端工艺（FEOL）的清洗尤为重要 SPM：sulfuric/peroxide mixture H2SO4(98％):H2O2(30％)=2:1~4:1 把光刻胶分解为CO2＋H2O （适合于几乎所有有机物） SC-1（APM，Ammonia Peroxide Mixture）： NH4OH(28%):H2O2(30%):DIH2O=1:1:5～1:2:7 70～80?C, 10min 碱性（pH值7）