离子注入对量子点光学效质影响！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 / ) ##/ ) ， ， ， JH7 */ TH *) 0M= ##/ （ ） (###3%’#D##/D/ #) D’#3#) C+PC FQRSB+C SBTB+C ##/ +;6= * F;U9 * SH: * 离子注入对!#$% ’#$ 量子点光学效质的影响! ! 汤乃云 季亚林 陈效双 陆 卫 （中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室 ###$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ## ’ (# ## (( ) 研究了低能质子注入诱导的界面混合和快速热退火对量子点发光效率的影响，对其光致发光峰强进行了拟合 计算 研究发现量子点的发光峰强度主要由载流子俘获时间和非辐射复合寿命决定 由于后退火处理能够部分的 * * 消除因质子注入造成的缺陷，量子点中非辐射复合中心浓度与注入剂量成亚线性关系；退火温度越高，非辐射复合 中心被消除越多，亚线性程度越高* 界面混合导致的俘获效率的增加和注入损伤引起的非辐射复合是相互竞争过 程，存在一个临界的注入剂量 ，当注入剂量 小于 ，界面混合作用较为明显，量子点发光峰强随注入剂量增 !+ ! !+ 加而增强；当 大于 时，质子注入引起了大量的非辐射复合中心，主要表现为注入损伤，量子点的发光峰强随注 ! !+ 入剂量增加而迅速减弱 退火温度越高， 越大 * !+ * 关键词：量子点，离子注入，峰强 ： ， (#)) ,%#- ,)#. 量子点激光器的光学增益性能* GH= 等人报道了 (A 引 言 I 时，能量为(A/ .J 的质子的辐照下，随着辐照剂 量的增加，量子点的发光强度逐渐减弱，当辐射剂量 B=C9D E5C9 自组织量子点体系因其独特、优越的 达到 (/ 时，量子点的发光强度减弱为 K (# 6H=9D :4 ［］ 光电性质，成为替代 基材料，制备光纤通信应用 , B=F 未辐照前的(L * EMNN5O?; 等人也报道了在不同的 — 发光波长激光器的热门材料之一 相对 (A% (A/ 4 * 光谱测量温度下，随着质子注入剂量的不同，量子点 ! 于两维量子阱激光器，量子点激光器具有更低的阈 的发光强度也发生不同程度的减弱，最小值也仅为