29-光电检测知识讲稿.ppt

當發射器傳送高電位時，若信號加上雜訊的電子數目低於臨界值時，電路判定為低電位 bit1 → bit0 →此錯誤為雜訊電流大，且相位又與信號電流反相的情況下發生 所以誤碼率Pe隨著位元期間所產生的電子平均數目(由光信號產生)而變化 ：光信號產生的光電子在位元期間的平均數目 、或 其中 為每位元的時間週期(秒) ：在位元期間內，暗電流 產生的平均電子數目 若發射的 bit 0 和 bit 1 的機會均等，可得最低誤碼率的臨界值為 Nt = ns / ㏑ ( 1 + ns / nn ) Ex : 假設暗電流在每位元週期產生的平均電子數為nn = 20 而光信號在每位元週期產生的平均光生電子數為10所以代入以上式子。 Nt = ns / ㏑ ( 1 + ns / nn ) = 10 / ㏑ ( 1 + 10 / 20 ) = 24.7 ≒ 25 因此當傳送為 bit 0 ，接受時有25個的電子產生 則錯誤發生。 因此當傳送為 bit 1 ，平均上的每位元週期會有 ns + nn = 30 個電子，若少於25個，則錯誤發生。 當光信號電流遠大於暗電流ID及shot noise遠大於熱雜訊時 →稱為Shot Noise Limited或Quantum Noise Limited →實際上無法達到如此高的SNR比值 當光信號功率無法很大時，熱雜訊功率大於Shot Noise功率，可忽略Shot Noise功率 Ex: 當使用高增益且低暗電流的APD 稱為熱雜訊限制的SNR比值(Thermal Noise Limited) Ex：使用無增益的光二極體(PIN或PN時)，或所接收之光信號很弱時 熱雜訊限制系統對光信號功率的變化較〝敏感〞 熱雜訊限制之斜率較大 射擊雜訊限制之斜率較小 熱雜訊limited：SNR隨著 P2i n 變化，且增加負載電阻RL也可提高SNR，所以常用高阻或轉移阻抗前置放大器。 但提高RL會造成頻寬和動態範圍降低 Shot Noise Limited：SNR隨著Pin線性增大，會與量子效率、頻寬和入射光子能量有關 有內部增益的光二極體(APD)→無考慮Excess Noise 若有內部增益G 則 Shot Noise 電流均方值 Thermal Noise 電流均方值 不是在APD內部產生，故同前式 當G很大，且ID很小時 同前式 Ex：若有光學系統，使用LED光源0.85 ，功率12 ，在光纖中傳輸損耗為48dB，光接受頻寬為 ，負載電阻 ，PIN二極體之響應度 ，暗電流 ，溫度T=300°K (1). 在光二極體處之光信號功率值 　12mW → 10㏒ 　　接收端之光功率值 (2). 光→電轉換後的平均功率值 　　 (3)求Shot Noise 平均功率值 (4)求Thermal Noise平均功率值 　　　 　　→熱雜訊限制系統 (5)求SNR SNR (dB) = 10㏒8.67 = 9.38 dB (6)理想的Shot Noise Limited System的SNR比值 SNR (dB) = 10㏒37500 = 45.7 dB Shot Noise Limited System的SNR比Thermal Noise Limited好 (7)G = 150的APD(不考慮Excess Noise) 接近Ideal SNR (dB) 有內部增益的光二極體(APD)→考慮Excess Noise 　　　　　　　　→無Excess Noise 　　　　　　　　→有Excess Noise 　原APD SNR 修正為 其中n值介於2-3之間 若無Excess Noise則n = 2 所以當 1. G足夠大 2. Shot Noise Thermal Noise 3. 忽略暗電流 令Gn-2為過剩雜訊因子Excess Noise Fac