第6章-非晶态材料的制备.pptVIP

由于投资太高、工艺和设备复杂等原因,使得非晶态合金的生产成本过高而无法的到广泛应用。 为了解决这个问题,必须解决非晶态合金的实际生产问题,降低成本,改进质量,扩大品种,以不断满足实际需要。 非晶合金生产工艺的发展方向主要包括: 一是尽量采用廉价的原材料和消耗品以降低成本; 二是改进生产设备,提高设备的使用寿命和可靠性,以提高产品质量; 三是不断开发新工艺,以减少原料的消耗量和扩大品种。 * （2）键强 通常用三个参量表示键强 离解能——使某一化学键断裂所需要的能量 平均键能——分子中所有化学键的平均键能之和 力常数——化学键对其键长变化的阻力 （a）对于共价大分子而言，其化学键力常数大，则形成玻璃倾向较大； （b）对硫系半导体而言，随原子量增大，其原子电负性和化学键力常数下降，导致玻璃化倾向减弱。 * （3）分子的几何结构 （a）原子尺寸差别r1/r2 r1/r20.8或r1/r2 1.2是形成非晶态的必要条件。 （b）化学键 * 1.非晶态材料的制备原理 （1）获得非晶态材料的根本条件 ——足够快的冷却速度，并冷却到材料的再结晶温度以下。 （2）制备非晶态材料需解决的两个技术关键： （a）必须形成分子或原子混乱排列的状态； （b）将热力学亚稳态在一定范围内保存下来，并使之不向晶态转变。 * （3）制备非晶材料的基本原理示意 （a）可以看出，一般的非晶态形成存在气态、液态和固态三者间的相互转化； （b）图中粗箭头表示物态间的平衡转变； （c）非晶态转变在图中用空心箭头表示，在箭头的旁边标出了实现该物态转变所采用的技术。 * （4）影响非晶态材料制备的因素 （a）最主要因素——临界冷却速率Rc * 金属熔体凝固的C曲线 （c）熔点Tm 降低熔点可使得合金成分处于共晶点附近，更容易形成非晶态。 多元合金比二元合金更容易形成非晶态。 （d）玻璃化温度Tg 玻璃化温度：在某些材料的热容-温度曲线上，随T↑，热容值有一急剧增大的趋势，该点即为材料的玻璃化温度。 提高玻璃化温度，金属更容易直接过冷到Tg以下而不发生结晶。 * 1.粉末冶金法 * 液相急冷法获得非晶粉末 液相粉末法获得的非晶带玻璃破碎成粉末 粉末冶金法 压制或粘结成型 包括压制烧结、爆炸成型、热挤压、粉末压制等 缺点： （1）非晶合金硬度高，压制密度受限制； （2）压制后的烧结温度不能超过其粉末的晶化温度，烧结后的非晶材料整体强度无法与非晶颗粒本身的强度相比； （3）粘结成型时，由于粘结剂的加入使大块非晶材料的致密度下降。 适合用于制备非晶薄膜材料。 （1）溅射 大部分稀土元素的非晶态合金都采用这种制备方法，同时也用于制备非晶态的硅和锗。 * 将样品制成多晶 或研成粉末 压制成型 进行预烧 作溅射用靶 抽真空后充氩气到1.33×10-1 Pa左右进行溅射 （2）真空蒸发沉积 由于纯金属的非晶薄膜晶化温度很低，因此，常用真空蒸发配以液氮或液氦冷底板加以制备。 为减少杂质的掺入，常在具有1.33×10-8Pa以上的超真空系统中进行样品的制备，沉积速率一般为每小时几微米，膜厚为几十微米以下。 这种方法也常用来制备非晶态半导体和非晶态合金薄膜。 * （3）电解和化学沉积法 这种方法以上述两种方法相比，工艺简便、成本低廉，适合用于制备大面积非晶态薄层。 1947年，美国标准计量局的Brenner等人，首先采用这种方法制备出Ni-P和Co-P的非晶态薄层，并将此工艺推广至工业生产。 20世纪50年代，Szekely又采用电解法制备出非晶态锗。 其后，Tauc等人加以发展，他们用铜板作为阴极，GeCl4和C3H6（OH）2作为电解液，获得了厚约30微米的非晶薄层。 * （4）辉光放电分解法 目前用于制备非晶半导体锗和硅最常见的方法。 首先是Chittick等人发展起来的。 * 将锗烷或硅烷放进 真空室内 用直流或交流电场 加以分解 分解出的锗或硅原子 沉积在加热衬底上 快速冷凝在沉底上 而形成非晶态薄膜 该方法突出特点是： 在所制成的非晶态锗或硅样品中，其电性活泼的结构缺陷低得多。 除了以上几种方法之外，近年来也有用激光加热和离子注入法使得材料表面形成非晶态的。 * 采用液体急冷法获得金属玻璃，为了提高冷却速度，除采用良好的导热体作为基板外，应满足以下三个条件： （a）液体必须与基板接触良好； （b）液体层必须相当薄； （c）液体与基本从接触开始至凝固终止的时间需尽量缩短。 * 特点： 喷枪法的冷却速度很高，可达到106~108℃/s。 所得样品宽约10mm，长为20~30mm，厚度为5~25μm。 缺点： 该方法所得样品形状不规则，厚度不均匀，且疏松多孔，所以不适合用于测量物理性质和力学性质。 * 将少量金属装入一个 石