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高压低功耗ldmos研究-微电子学与固体电子学专业论文
万方数据
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独 创 性 声 明
本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。
签名: 日期: 年 月 日
关于论文使用授权的说明
本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。
(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)
签名: 导师签名:
日期: 年 月 日
摘要
摘 要
横向功率器件的 比导通电阻 (Ron,sp) 和 击 穿 电 压 (BV) 之间存在超线性关系 Ron,sp∝BV2.5,因此 Ron,sp 和 BV 的折衷关系是功率器件的主要问题。本文以此为研 究方向,研究了以下 3 种新器件结构。
(1)提出了超低比导通电阻 SOI 双槽双栅 MOSFET。此 MOSFET 的特点是 拥有两个氧化物槽以及两个多晶硅栅。首先,源漏之间的氧化物槽不仅折叠漂移 区,而且调制电场,从而增大器件耐压;其次,双栅形成双导电沟道,从而减小 比导通电阻。当器件的半个元胞尺寸为 3μm 时,击穿电压 BV 为 93V,比导通电 阻 Ron,sp 为 51.8mΩ·mm2。与 SOI 槽栅 MOSFET 和 SOI 双槽 MOSFET 相比,在相 同的 BV 下,SOI 双槽双栅 MOSFET 的 Ron,sp 分别降低了 63.3%和 33.8%。
(2)提出了具有埋 N 岛结构的高压 SOI LDMOS 器件。高压阻断状态下,耗
尽 N 岛中的电离施主使电场单调上升,增大埋氧层电场。另外,N 岛间隙内形成 空穴积累层,保证埋氧层的高电场。因此,器件耐压提高。n 型漂移区、p 型 SOI 层、不连续 N 岛之间有很好的自隔离效果,省去了在功率集成电路中做深槽介质 隔离。当 SOI 层厚度为 20μm、埋氧层厚度为 4μm 时,埋 N 岛 LDMOS 耐压为 673V, 且在高压集成电路中实现自隔离,较常规 LDMOS 的耐压提高了 38.2%。
(3)提出了具有 P 埋层的变 k PSOI 器件(简称:变 k BPSOI)。变 k 介质使 埋层电场增强,硅窗口使衬底承受电压,从而增强纵向的平均电场;p 埋层、硅窗 口、变 k 介质界面处引起电场尖峰,调制器件横向电场。因此,器件耐压提高。p 埋层的辅助耗尽作用使漂移区浓度提高,从而使比导通电阻降低。硅窗口降低自 热效应(Self-Heating Effect,SHE)。与常规 PSOI 相比,变 k BPSOI 的耐压提高 43.6%、比导通电阻降低 26.5%。
借助二维仿真软件 MEDICI 和 TSUPREM4,对以上器件的耐压机理及各项重 要结构参数进行了分析,并设计了可行的工艺实施方案。与国内某研究所合作, 成功的对部分器件结构进行了流片,并对样品进行了测试分析。
关键词:击穿电压,比导通电阻,氧化物槽,隔离,低 k
I
ABSTRACT
ABSTRACT
There is a super-linear relationship of Ron,sp∝BV2.5 between the specific on-resistance (Ron,sp) and breakdown voltage (BV) for lateral power devices, the trade-off between Ron,sp and BV is thus the main issue for power MOSFETs. To improve the relationship between Ron,sp and BV, three new device structures are proposed.
An ultra-low specific on-resistance (Ron,sp) silicon-on-insulator (SOI) double trenchs and double gates MOSFET (SOI DTDG MOSFET) is proposed. The MOSFET features double trenches and double polysilicon gates. Firstly, the oxide trench between s
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