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半导体集成电路可靠性测试及数据处理的方法 　　[摘 要]可靠性是分析产品使用年限的一门全新学科，可以明确地反映出产品的质量。随着全新的材料以及工艺的运用，半导体集成电路的线宽开始降低，集成度也不断的提升，其对于集成电路可靠性也提出了更加严格的要求。近些年来，我国的集成电路制造产业开始得到快速的发展，这也为国内集成电路可靠性的研究创造了较好的条件。文章主要分析了半导体集成电路的晶圆级可靠性测试以及相关的数据处理手段。 　　[关键词]半导体；集成电路可靠性；测试及数据处理方法 　　中图分类号：TN406 文献标识码：A 文章编号：1009-914X（2018）26-0054-01 　　0 引言 　　集成电路用半导体材料是集成电路、半导体器件制造的基础材料，是一种十分敏感的战略性资源，现阶段中国的集成电路用高纯电子级多晶硅产业仍处于流水线型的离散工业，在电子级高纯多晶硅智能制造方面与国外差距很大，集成电路用半导体材料严重依赖进口的现状依然严重 　　1 半导体集成电路可靠性设计技术 　　1.1 半导体可靠性 　　集成电路作为半导体器件中较为重要的一类，其发展方向趋向于高速度、低功耗和高精度，也有了越来越高的集成度，同时发展为越来越小的工艺特征尺寸，不断增强的器件二维效应，在不断增加其内部的电流和电场密度，大大增加了电路性能对缺陷的敏感度。随着集成电路的发展和应用，逐渐有了在恶劣环境中工作的需求，面对高温、高压、高频、辐射强以及大功率的环境，半导体集成电路面对的是日益严峻的可靠性问题。目前，在半导体集成电路研究领域，国内主要使用被动式可靠性筛选的方法保障产品的可靠性。这种保障可靠性的方法具有较高的使用成本、较长的周期，而且集成电路的可靠性不能从根本上得到提高，应该在设计阶段采取一定的措施保障其固有可靠性。在半导体集成电路中，要对其具体应用环境进行分析和探讨，着重研究应用环境导致的集成电路器件失效或退化的诱发应力和物理机理，并在此基础上设计集成电路的可靠性，在研制半导体集成电路的过程中把版图、线路、封装以及工艺等优化加固综合考虑进去，确保在器件的寿命周期范围内，能在规范规定范围内维持电参数的正常。 　　1.2 集成电路工艺可靠性评价与控制 　　在产品可靠性提高的过程中，制造工艺可靠性的研究是可以采取的主要措施和途径，也是研究产品可靠性的重要环节。在产品可靠性的研究中对制造工艺产生的影响进行探讨，对工艺可靠性的控制手段进行研究和监测，构建工艺可靠性的评价程序和方法，在集成电路可靠性提高的研究中有至关重要的作用。只有拥有足够高的工艺可靠性，实物产品的可靠性才能得到保障，最终保障其使用可靠性。在控制和评价工艺可靠性评价的研究中，通过良好的工艺可靠性对产品的固有可靠性提供保障是研究的基本出发点，在工艺研究中，针对相关的失效机理，在失效机理不同的情况下设计出微电子测试结构并进行一系列的加速试验，确保得到相关的信息和参数，在测试结构中把产品可靠性指标和测试可靠性指标之间的关系建立起来，对工艺的可靠性水平进行确认。在研究中，载体选择的集成电路生产线是国内可控的，在国产集成电路生产线基础上对适用的可靠性控制和评价方法进行研究，在封装级和圆片级的LR基础上构建一个工艺可靠性评价平台，并与在国内已经有广泛应用基础的SPC和PCM平台充分结合，在半导体集成店里中构建完整的工艺可靠性控制和评价体系，使集成电路的工艺在本质上保证和提高其质量和可靠性，并对国产可靠性评价的准确度和评价效率都得到有效提高。 　　2 栅氧化层检测技术和数据处理 　　2.1 斜坡电压检测 　　可靠性检测时，斜坡电压检测主要是将线性斜坡电压加入到栅极中，一直到电压击穿氧化层。而斜坡电流检测则是在栅极中利用有关指标斜坡电流的融入，直至氧化层击穿。通过两种不同检测形式都可以对栅氧化层不同密度展开检测。例如：通常状态下，针对斜坡电压检测则是在有效电压指标规模下进行。若电压击穿氧化层过程中电压比设置的电压参数低，则可以判定氧化层内有缺陷，同时能够得出栅氧化层是没有意义的。在JESD35标准内，在Poisson划分条件下的成品率公式能够得出有关缺陷密度：Y=eDOA。其中Y为成品率，也是有效样品和总测试样品的比率；A为被检测样品面积，缺陷密度则为DO。当进行成本斜坡电流与电压检测后，进而计算出成品率参数通过检测样本面积进行缺陷密度检测。 　　2.2 介质击穿检测 　　时间有关介质击穿检测步骤为：将小于栅氧化层的本征添加到栅极中，无法造成本征击穿。不过，氧化层在电应力的事假内存在一定缺陷。基于这一状态下，击穿问题经过一段时间后就会产生。在评定集成电路可靠性阶段，珊氧介质在同等时间下的击穿成为重要影响因素。 　　3 热载流子注入技术与数据处理 　　3.1 热载流子注入测