2016年上师杯物理实验3-5内容.pptVIP

* * 一定反向偏置下 ⑷光敏二极管的光照特性 （光电导模式：负偏置） 光敏传感器光电特性的测量 实验原理 —— 实验方式或方法 * * 一定光照下 ⑷光敏二极管的伏安特性 （光电导模式：负偏置） 光敏传感器光电特性的测量 二、实验方案的设计 实验原理 —— 实验方式或方法 * * 实验装置的基本构建及组合 ⑵光源系统 —— 灯泡、电源、遮光筒； 光强或光距可调； ⑴光敏器件—— 光敏二极管或硅光电池 光敏传感器光电特性的测量 三、实验装置的构建 * * 实验装置的基本构建及组合 ⑴光敏器件—— 硅光电池 ⑵光源—— 光强、光距可调 ⑶实验电路—— …… ⑷检测器材—— …… 光敏传感器光电特性的测量 * * * * 实验步骤的制定 例:光敏二极管(光伏模式)的光照特性测试 ——开路电压Voc与光照的关系 实验条件：光距 5.00cm ； 数据采集方式：数字电表、直流电压2v档位 光源电压（V） 4.00 6.00 8.00 10.00 12.00 14.00 16.00 18.00 照度(Lx) 0.3 3 10 30 62 120 180 300 VOC（V） ① ② ③ ④ 光敏传感器光电特性的测量 * * 光敏二极管(光伏模式)光照特性实验数据采集记录表 光源电压（V） 4.00 6.00 8.00 10.00 12.00 14.00 16.00 18.00 照度(Lx) 0.3 3 10 30 62 120 180 300 VOC（V） 光敏传感器光电特性的测量 数据采集与处理 画出光敏二极管处于零偏置时的开路电压的光照特性曲线 —— 开路电压Voc与光照的关系 2.1光敏二极管（光伏模式）的光照特性测试 * * 光敏二极管(光伏模式)的光照特性实验数据采集记录表 光源电压（V） 4.00 6.00 8.00 10.00 12.00 14.00 16.00 18.00 照度(Lx) 0.3 3 10 30 62 120 180 300 Isc（A） 光敏传感器光电特性的测量 数据采集与处理 画出光敏二极管处于零偏置时的短路电流的光照特性曲线 —— 短路电流Isc与光照的关系 2.2光敏二极管（光伏模式）的光照特性测试 * * 光敏二极管处于光伏模式时的伏安特性实验数据采集记录表 变阻箱（欧） 100 500 1000 1300 1800 2200 3000 4000 6000 10000 40000 Vsc（V） Isc（A） 实验条件 光源电压 10.00V 、光距 5.00cm 、照度30LX 光敏传感器光电特性的测量 数据采集与处理 根据实验数据画出光敏二极管的伏安曲线 2.3光敏二极管（光伏模式）的伏安特性的测试 * * 机器人 航天器 光电门 数控机床 光敏传感器的各种应用 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 物理实验设计与应用 三、非线性元件伏安特性测量及发光二极管 应用 四、温度传感器温度特性测量及发光二极管 应用 五、光敏传感器光电特性测量及应用 2016年10月 * * 实验三 非线性元件伏安特性测量及发光二极管应用 * * 发光二极管 非线性元件 伏安特性曲线 * * * * 研究任务： 非线性元件的伏安特性 一、实验任务的定位 研究内容： 普通二极管伏安特性的测量 稳压二极管伏安特性的测量 研究对象： 非线性元件 ——二极管 + - + - * * 非线性元件伏安特性的测量 ——PN结及其特征 学科原理 PN结的形成: 当P型和N型半导体接触时, 空穴会 从P型半导体向N型半导体扩散,电子 会从N型半导体向P型半导体扩散. PN结的特性: 在界面附近的结区存有空间电荷区. P型半导体一边的空间电荷是负离子. N型半导体一边的空间电荷是正离子. * * 非线性元件伏安特性的测量 学科原理 ——外电场下的PN结及其特征 ——PN结的空间电荷区变窄. 作用: PN结处于正偏置: ——使载流子的扩散电流增加引起 正向电流. 当P区处于正电位、N区处于负电位. * * 非线性元件伏安特性的测量 学科原理 ——外电场下的PN结及其特征 作用: ——PN结的空间电荷区变宽. 当P区处于负电位、N区处于正电位. PN结处于负偏置: ——形成在一定反向电压范围内与反 向偏置电压值无关的反向饱和电流. PN