中职电子技术基础期中试卷.docVIP

2012年秋学期 《电子技术基础》 期中测试 2012.11. 填空题（0.5’×50 1、半导体中有两种载流子： 和 。 2、晶体二极管具有 特性，即加 电压时导通，加 电压时截止。 3、晶体三极管具有 作用，是一种 控制型器件，通过 电流的变化去控制较大的 电流变化。 4、晶体三极管内部结构有三个区： 区、 区和 区；两个PN结： 和 ；三个电极： 、 和 ，分别用字母 、 、 表示。 5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是： 、 工艺条件（内部条件）是： 、 、 。 6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同，分为 和 两种类型，它们的图形符号分别为 和 ，基区为N型半导体的是 型。 7、晶体三极管有三种基本联接方式： 接法、 接法和 接法。三极管的三个电极中， 极既可以作为输入端，又可以作为输出端。 9、硅管的门坎电压约为 V，导通电压约为 V；锗管的门坎电压约 为 V，导通电压约为 V。 10、若测得某晶体三极管的电流为：当IB=20μA时，IC =2mA；当IB=60μA时，IC =5.4mA，则可求出该管β为 ，ICEO为 ，ICBO为 。 12、晶体三极管的输出特性曲线是在IB一定时，测出 与 对应值的关系，它可以分为三个区域，即 区、 区和 区。当三极管工作在 区时，关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在 区时， IC≈0；当三极管工作在 区时，VCE≈0；三极管在 区时，具有恒流特性。 二、判断题（2’×10 1、晶体二极管一旦发生击穿，就会被烧毁。 （ ） 2、N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。 （ ） 3、环境温度升高，晶体二极管的反向饱和电流将增大。 （ ） 4、在半波整流电路中，二极管极性接反，将无整流作用。 （ ） 5、用万用表测量小功率二极管，一般使用R×10KΩ挡。 （ ） 6．用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“＋”号插孔中的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 （ ） 7、无论哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。 （ ） 8、晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体构成，所以e极和c极可以互换使用。 （ ） 9、对于NPN型三极管，若VBE0，VBEVCE，则该管工作在饱和状态。 （ ） 10、分压式偏置放大电路具有稳定静态工作点的作用。 （ ） 三、选择题（2’×10 1、某硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（ ） A、约等于150伏 B、可略大于150伏 C、不得大于40伏 D、等于75伏 2、电路如图所示，图中二极管为理想二极管， 当输入电压Vi=0V时，输出电压Vo=（ ）V； 当输入电压Vi=20V时，输出电压Vo=（ ）V。 A、3V B、0V C、10V D、20V 3、在一块放大电路板上，测得某三极管对地电位如图所示，则管