《先进材料实验》讲义幻灯片资料.pptVIP

先 进 材 料 实 验 —半导体薄膜方向;补充要求;II-VI族半导体;（1）禁带宽度： 窄禁带半导体（Si、Ge：1.12eV、0.66eV） 宽禁带半导体（ZnO、GaN：～3.37eV ） （2）能带结构： 间接带隙（Si、Ge) 直接带隙半导体（ZnO、GaN）;粉体;三、ZnO性能及应用; 优势：原料丰富，价格低廉；成膜性能好，外延生长温度低；有商用体单晶，可以进行同质外延；是一种环境友好材料，生物兼容性好等。 多功能: 在光电、压电、热电、铁电、铁磁等各个领域都具有优异的性能，在表面声波、太阳能电池等诸多领域得到了广泛应用。; 在所有的宽禁带半导体中，ZnO与GaN最为接近，有相同的晶体结构、相近的晶格参数和禁带宽度，ZnO与GaN的晶格失配很小(~1.8%) ;; ZnO为极性半导体，存在着诸多的本征缺陷（如：Zn间隙Zni和O空位VO等），天然呈n型 掺入ZnO取代Zn，提供电子。 IIIA族元素（如B、Al、Ga、In） IIIB族元素（如Sc和Y）、IVA族元素（如Si、Ge和Sn） VIB族元素（如Ti和Zr） VB 族元素（如V和Nb） VI 族元素（如Mo） 掺入ZnO取代O，提供电子。 F、Cl等VII族元素 ;