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浅析单晶硅生长的机理 　　摘 要 单晶硅作为影响国家未来技术发展的重要材料，对于我国高新技术发展具有战略性地位。论文主要对形成单晶硅的重要方法即直拉法（CZ）单晶硅生长的机理与工艺进行了分析，并对如何提纯材料，提纯减少杂质的措施进行了介绍。 　　关键词 单晶硅；生长机理；杂质 　　中图分类号 TM91 文献标识码 A 文章编号 2095-6363（2017）17-0002-01 　　单晶硅作为影响国家未来技术发展的重要材料属于立方晶系，单晶硅具有独特的金刚石结构。这种材料独特的结构属性，使其成为性能优良的半导体材料，单晶硅的发端可以追溯到第二次世界大战左右，从多晶硅材料的使用开始到如今已经超过半个世纪。目前，硅材料的生长技术已经发展的非常完善，并在集成电路、光学元件、太阳能电池等领域得到广泛应用。单晶硅作为半导体产业的重要材料支撑，对国家高新技术发展具有难以取代的重要作用，并且SiO2在地壳内储备丰富，具有矿源丰富的优点。目前，作为新能源产业重要支柱的太阳能光伏产业就是用单晶硅制造的，由于单晶硅具备其他材料所没有的纯度高、光电转换效率高等特征。因此，单晶硅已经成为生产太阳能电池的最理想材料，并得到世界各国的重视，单晶硅的发展为人类清洁能源、新能源发展带来了曙光。 　　1 单晶硅生长的原理分析 　　目前，国内外通行的制备单晶硅的技术主要分为两类，具体包括区熔法与直拉法，