场效应晶体管的单粒子瞬态效应及加固方法研究-集成电路工程专业论文.docxVIP

湘潭大学 学位论文原创性声明 本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所 取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任 何其他个人或集体己经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡 献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的 法律后果由本人承担。 作者签名: 公有f 日期:2 ot {:年 6 月 y 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意 学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文 被查阅和借阅。本人授权湘潭大学可以将本学位论文的全部或部分内容编 入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇 编本学位论文。 涉密论文按学校规定处理。 作者签名:公有 2 日期:hll上年 4 月 y 日 日期:P，5年品月/日 摘 要 航空航天设备所处的空间环境中充斥着各类高能粒子。当单个高能粒子入射 到航空航天设备当中的半导体器件后，就会引起半导体材料发生电离效应，从而 可能引起该半导体器件甚至该器件所处系统的单粒子瞬态效应，导致航空航天设 备的功能失效或者损毁。现代半导体工业已进入成熟的纳米级工艺时代。器件特 征尺寸的缩减、阈值电压的降低以及器件间距的缩短等诸多影响，都使得航空航 天设备的单粒子瞬态效应越来越显著。因此，对单粒子瞬态效应以及其加固方法 的研究很有必要。基于上述事实，本文就场效应晶体管分立器件不同加固结构对 单粒子瞬态效应的影响做了相关研究。 本文研究了单粒子瞬态效应在单个场效应晶体管中的作用机理，在理论基础 之上予以推导扩展，通过计算机辅助技术，数值模拟仿真了场效应晶体管的基本 特性和不同单粒子入射情况下半导体器件中的单粒子瞬态效应。同时，结合仿真 结果与结构创新，提出新型的抗单粒子瞬态效应加固结构，并从多维角度测试加 固结构的电学基本特性及抗单粒子瞬态性能，在确保加固半导体器件拥有合理电 学参数的前提之下整体提高了场效应晶体管单粒子瞬态效应加固能力。本文主要 包括以下内容与结论： 1. 利用计算机辅助技术对 45 nm 特征尺寸的 NMOS 管和经典保护漏加固结 构进行了不同单粒子入射情况下的三维单器件数值模拟仿真和混合模拟仿真，分 别从单个半导体器件和电路级两个角度研究了两种结构的单粒子瞬态效应。仿真 结果表明，经典保护漏加固结构因为其附加电极所产生电势对漏极的影响，在 45 nm 及以下特征尺寸当中不再具有单粒子瞬态效应加固的能力。 2. 通过对保护漏加固结构的扩展与延伸，设计出基于 45 nm 特征尺寸的漏 墙加固结构。不同单粒子入射情况下的三维单器件数值模拟仿真和混合模拟仿真 结果表明，漏墙加固结构的附加电极所产生电势不会对漏极产生任何影响，确保 了场效应晶体管的正常工作能力，且附加电极能够有效地降低单粒子瞬态效应对 场效应晶体管的影响。 3. 构建出基于 45 nm 特征尺寸的绝缘体上漏源加固结构三维数值模型。通 过对单器件数值模拟仿真和混合模拟仿真的数据分析，得出绝缘体上漏源加固结 构同样具有优异的抗单粒子瞬态效应能力。同时，这一结构还弥补了绝缘体上硅 结构的散热问题与漏墙加固结构只能用于 NMOS 管的应用问题。 关键词：单粒子瞬态效应；器件模拟；抗辐照设计加固；场效应晶体 I Abstract As the main working environment to aerospace equipments, space environment is full of various energetic particles. Ionization effect will be induced when a energetic particle strikes through semiconductor devices in aerospace equipment. And then single event transient effect may be caused in these semiconductor devices even in the system which is made up by these semiconductor devices. Aerospace equipment may loses its function or be damaged. Semiconductor industry has already entered mature nanometer era. Single event transient effect have more and more significant influence on ae