超深亚微米器件单粒子辐射新效应的物理机理研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

摘要 摘要 随着半导体工艺的发展，器件特征尺寸越来越小，单粒子辐射效应已经成为 辐射环境微电子器件可靠性的一个主要的影响因素。器件尺寸缩小不仅使得半导 体存储器对于单粒子电离效应更为敏感，而且出现了电荷共享和多位翻转等新可 靠性问题。单次粒子撞击引发多个存储单元的翻转在超深亚微米技术下变得越来 越频繁，成为一个日益严重的问题。由于以前的电荷收集模型主要是基于单个节 点上的电荷输运收集过程，故无法对粒子从不同位置入射引起的相邻器件间的电 荷收集进行分析。然而，对于超深亚微米器件，电荷共享和多位翻转使得上述的 假设不再成立。因此，如果想要正确地预计超深亚微米器件中的单粒子翻转率， 就必须对电荷共享和多位翻转等新效应的物理机理进行研究。本文通过理论分析 和数值模拟对超深亚微米器件新效应的物理机理进行了深入研究，并在此基础上 建立了超深亚微米器件考虑电荷共享的电荷收集模型，并通过与 90nm MOS 技术 的 TCAD 模拟结果进行对比，验证了模型的正确性。本文主要完成的工作及得到 的结论如下： 1) 总结了多位翻转随工艺尺寸发展的变化趋势及多位翻转的物理机理。确定 了电荷共享是导致超深亚微米器件发生多位翻转的主要原因。 2) 建立了超深亚微米器件考虑电荷共享的电荷收集模型。此模型考虑了相邻 器件间的电荷共享，并考虑了粒子从器件不同位置入射时，电荷收集的物 理机理的不同。 3) 设计了计算