超声喷雾热解法制备ZnO基透明导电薄膜及其结构和性能研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

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超声喷雾热解法制备ZnO基透明导电薄膜及其结构和性能研究-微电子学与固体电子学专业论文

万方数据 万方数据 摘 要 摘 要 ZnO 基透明导电薄膜作为一种新型的 II-VI 族直接宽禁带氧化物半导体薄膜材 料,因其优异的光电、压电特性以及高化学稳定性和高性能价格比而具有广阔的应用 前景,被认为是继 In2O3 : Sn(ITO)薄膜之后最有发展潜力的透明导电薄膜材料之一。 本文利用自制的超声喷雾热解(USP)设备以乙酰丙酮锌的水-乙醇混合溶液为 前躯体溶液,用乙酰丙酮铝、乙酰丙酮镁作为掺杂剂,在玻璃衬底上分别制备了具有 择优取向生长的 ZnO 薄膜、ZnO : Al(AZO)薄膜和 MgxZn1-xO 薄膜,并利用 X 射线 衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针以及紫外-可见光分光光度计(UV-Vis spectrometer analysis)等分析测试手段,研究了制备工艺(衬底温度、喷口到衬底的 距离、前驱体溶液浓度、沉积时间、退火温度等)、掺杂浓度、退火工艺等对薄膜晶 体结构、表面形貌和光电性能的影响。 实验结果表明,适当的生长条件有利于制备高质量的 ZnO 薄膜:当衬底温度为 300℃,喷口-衬底距离为 3cm,前驱体溶液浓度为 0.1mol/L,沉积时间为 10min 时, 制备的 ZnO 薄膜 c 轴内应力较小,晶粒尺寸较大,表面较平整,且具有高度的 c 轴 择优取向。ZnO 薄膜在空气气氛中退火后晶粒尺寸有所增大,且随退火温度升高薄膜 的晶粒形状由长条状向圆片状、棒状转变。同时,适当的退火温度可提高薄膜的结晶 性,但超过 500℃的退火温度反而会有损于薄膜的质量。此外,随着退火温度升高, ZnO 薄膜(002)衍射峰的强度增大,但取向性并没有相应地增强。 制备的 ZnO : Al 薄膜沿(101)晶面择优生长,表面晶粒呈扁豆状。ZnO : Al 薄 膜的方块电阻随 Al 掺杂浓度的增加,呈现先下降后增大的趋势,在 Al 掺杂浓度为 4at%时,ZnO : Al 薄膜取得最低方块电阻 4.4kΩ/sq。在真空气氛中退火可以进一步改 善薄膜的电学性能,500℃真空退火后可使薄膜方块电阻降到 106Ω/sq。薄膜在可见 光波段的平均透光率在 80%左右。而 4at%Al 掺杂的 ZnO : Al 薄膜样品在 550~600℃ 真空退火后,透光率降到 60%左右。这是因为真空退火提高了薄膜中氧空位的浓度, 使薄膜的电学性能提高,光学性能下降。 制备的 MgxZn1-xO 薄膜仍然保持着 ZnO 的纤锌矿结构,没有 MgO 相生成,Mg 可以有效地溶入 ZnO 的晶格中。MgxZn1-xO 薄膜具有良好的透光性,在可见光波段的 光透过率在 85%以上;随着 Mg 含量的增加,MgxZn1-xO 薄膜的吸收边出现蓝移现象, 禁带宽度从 3.30eV 增加到 3.54eV,薄膜的透光范围向紫外区域扩展,实现了对 MgxZn1-xO 禁带宽度的调节,为其在紫外光电器件方面的应用奠定了基础。500℃真 空退火可使 Mg0.1Zn0.9O 薄膜方块电阻降至 6kΩ/sq,明显改善了薄膜的电学性能,但 由于氧空位增加,降低了薄膜的透射率。 关键词:超声喷雾热解工艺;透明导电薄膜;光电性能;ZnO;ZnO : Al;MgxZn1-xO. I 桂林电子科技大学学位论文 *本项研究得到广西教育厅基金(桂教科研 200734)和广西信息材料重点实验室 研究基金(PF090549)的资助。 II Abstract Abstract ZnO-based transparent conducting thin films is a kind of II-VI group oxide semiconductor thin films material, with a direct wide band gap. Because of its electrical, optical and piezoelectric properties, high chemical stability and cost performance ratio, ZnO thin films has broad potential application. It is regarded as the one of most potential materials to substitute In2O3 : Sn (ITO) thin films. In this paper, preferred orientation of ZnO, ZnO : Al(AZO) and MgxZn1-xO thin films were prepared on glass substrates by ultrasonic spray pyrolysis (U

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