超深亚微米SRAM静态稳定性的研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

摘要 摘要 SRAM 作为巨规模集成电路以及微处理器中的高速缓冲存储器，占据了大量 芯片面积，一般采用最小线宽以限制其面积。选择它来研究特征尺寸缩小对大规 模集成电路稳定性的影响具有普遍意义。 SRAM 存储单元由两个倒栩器互相梢合构成，它的稳定性是指抵抗外部静态 干扰噪声的能力，通常用静态噪声容限 CSNM) 表征。 SNM 的定义是:使存 储单元状态翻转的最小直流噪声电压，一般考虑、最坏情况，即某种直流噪声相反 地存在于祸合倒相器的两个数据节点上。决定最差情况 SNM 的最直观标准是最 大方块边长， I1n SRAM 单元中两个搞合倒相器的电压转移特性曲线之间的最大 方块的边长，等于最坏情况下 SNM 的大小。 SRAM 分成六管单元和四管单元两 手中，从工艺角度、尤其是在存储稳定性方面，六管单元显示出相对四管单元的优 势，因此本文的研究也主要基于六管 SRAM 单元展刀。 本文采用基于物理的 α 指数模型，推导出超深亚微米 SRAM 单元的传输函 数，进而求出 SNM 的解析模型，并利用 HSPICE 软件模拟进行了验证。该模型 考虑了沫亚微米 MOSFET 的亚阂值特性、迁移率与电场的关系、载流子速度饱 和、漏致势垒降低效应、阔值电压偏离等效应。 对 SNM 的解析分t斤将有助于理解其物理本质，在设计中能够明确参数的优 化方向，提高效率。本