多晶硅太阳电池低温热处理增效研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

摘 摘 要 万方数据 万方数据 摘 要 多晶硅太阳电池占据着光伏市场的主要地位，提高其能量转换效率和降低 其生产成本是光伏产业技术发展的关键。多晶硅材料内部晶体缺陷和杂质含量 相对较高，对于热过程较为敏感，有较大的热处理优化空间，但由于生产效率 的要求，硅片太阳电池生产过程中一般不能有足够的时间使材料得到充分的在 线热优化。本文报告我们对普通硅片太阳电池进行的较为系统的低温离线热处 理增效实验研究和分析。 实验研究了在 Ar、N2-10%H2 和空气中进行低温热处理过程对普通的 p 型多 晶硅太阳电池光电转换效率、少数载流子寿命、表面反射率和电池截面形貌的 影响。结果显示：在 Ar 中热处理，温度在 220℃～400℃范围内，在一定程度上 提高电池转换效率和改善电池性能，且在 250℃保温 15min 可以降低电池的反射 率，加大了电池对光的吸收；在 N2-H2 中热处理，保温时间 15min，热处理温度 在 220℃～400℃之间可以提高电池效率和少子寿命，尤其温度在 300℃～400℃ 时，较大幅度的提高了电池的效率，在 350℃绝对提高量达 1.37%，在 400℃以 上热处理则对电池不利，且在 300℃～600℃热处理温度范围可以降低波长对 600nm-1000nm 之间光的反射；在空气中热处理，温度在 220℃～300℃范围电池 效率有不同程度的提高，少子寿命未相应提高，在 350℃以上热处理，电池效率 急剧下降，但少子寿命却大幅度提高。 在此基础上，我们用深能级瞬态谱（Deep Level Transient Spectroscopy）研 究了相应热处理过程对多晶硅片深能级陷阱中心的影响，结果表明：在空气中 经 400℃保温 15min 热处理会引入了氧杂质深能级陷阱，且原本的 Zn 杂质空穴 陷阱可能转换成 Zn-O 复合物深能级陷阱，陷阱上空穴的激活能由 0.47ev 变成 0.11ev，对空穴的俘获截面由 6.1E-15cm2 变成 3.3E-15cm2；而 Fe 原子深能级陷 阱不发生变化；在 N2-H2 中经 300℃保温 15min 热处理，Ti 原子可以与 H 原子 形成 Ti-H2,3 复合物，且引入深能级电子陷阱；在 Ar 中经 280℃保温 15min 热处 理，原本的电子陷阱消失，出现空穴陷阱。 关键词：多晶硅太阳电池；热处理；深能级瞬态谱；陷阱中心 I Abs Abstract Abstract Multicrystalline solar cells play a major role in current photovoltaic market. The key to promote PV industry technology is to improve cells’ conversion efficiency and lower production cost. Due to its relatively high internal crystal defect and impurities, multicrystalline is sensitive to thermal processing, which bring huge optimization space for multicrystalline solar cells by annealing. During fabrication of silicon solar cells, there is no enough time to fully thermally optimize material for the requirement of production efficiency. A systematic study on solar cells efficiency improvement by thermal processing at low temperature was done in this paper. The effect of Ar, N2-10%H2 and air on several properties of p-type multicrystalline silicon solar cells such as conversion efficiency, minority carrier lifetime, reflectivity and cross-section morphology was studied. The results show that: the performance improves at some degree when argon and 220℃