常压脉冲调制射频等离子体沉积SiOX薄膜的实验研究-物理学专业论文.docxVIP

常压脉冲调制射频等离子体沉积 常压脉冲调制射频等离子体沉积 SiOx 薄膜的实验研究 万方数据 万方数据 III III 东华大学学位论文版权使用授权书 学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同 意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允 许论文被查阅或者借阅。本人授权东华大学可以将本学位论文的全部 或者部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影音、缩印或者扫 描等复制手段保存和汇编本学位论文。 保密 □，在 年解密后适用本版权书。 本学位论文属于 不保密 □。 学位论文作者签名： 导师签名： 签字日期： 签字日期： 常压脉冲调制射频等离子体沉积 SiOx 薄膜的实验研究 摘 要 SiOx薄膜具有光透过率高、介电性能良好、硬度高、抗侵蚀能力 强以及良好的耐磨性，在许多工业领域都有非常好的应用。为了制备 不同性能的SiOx薄膜，近些年来学者们开发出许多新型的薄膜沉积技 术。其中常压脉冲调制射频等离子体技术由于具备等离子体密度高、 气相温度低、功率利用率高等特点而受到了广泛的关注。 本文利用常压脉冲调制射频等离子体放电技术，以 HMDSO 和 Ar 的混合气体为反应源，成功制备了 SiOx 薄膜。采用 100Hz 脉冲放电调 制，通过采集射频放电电流-电压曲线图，研究了常压脉冲调制射频 放电的电学特性，结果表明:当调制频率为 100Hz，占空比为 30%、50%、 70%时，等离子放电为离散模式（每个脉冲放电都是相互独立的）， 占空比的改变对脉冲放电的放电特性影响不大。等离子体脉冲放电的 放电的强度随着射频功率的增大而增强。发射光谱结果表明，放电空 间内存在 SiO、Ar、O 等活性粒子，其中活性粒子 SiO、Ar、O 的发射 光谱强度随着射频功率的增大而增强，占空比的改变对其影响也不大。 利用 lifbase 软件将 OH 谱线与理论模拟谱线拟合可以得到等离子体 的转动温度即等离子体放电区域中的气体温度，研究表明，等离子体 I 放电区域中的气体温度随占空比的增大和射频功率的提高均有所升 高，但是调制频率的变化对气体温度的影响不大。 利用扫描电子显微(SEM)，原子力显微镜（AFM），傅里叶变换红外 光谱仪(FTIR)，X 射线能谱仪（EDS），X 射线光电子能谱(XPS)以及热 失重分析仪（TGA）研究了不同占空比、射频功率放电条件下所沉积 的 SiOx 薄膜的表面形貌与化学成分。SEM 及 AFM 结果表明，随着放电 脉冲占空比以及射频功率的增大，薄膜表面变得不平滑，椭球形颗粒 增多，薄膜表面的粗糙度变大。EDS 结果显示，颗粒膜中的无机成分 与非颗粒膜相比含量更多。FTIR 和 XPS 结果表明，不同占空比、射频 功率条件下所沉积的 SiOx 薄膜中均含有以 Si-(CH3)n 和 Si-(CH3）2 为 代表的有机成分和以 Si-O-Si 为代表的无机成分。随着放电脉冲占空 比由 30%增大到 70%，薄膜中的无机成分含量由 1.7%增加到 30.9%； 射频功率较低时，薄膜中以 SiO2(CH3)2 和 SiO3CH3 为代表的有机成分为 主，随着射频功率由 60W 增大到 120W，薄膜中以 SiO4 为代表的无机 成分含量由 1.1%增加到 33.4%。这表明随着射频功率的增大，单体裂 解率增加，薄膜中的有机成分含量减少，无机成分含量增多。TGA 结 果也表明，随着占空比和射频功率的增大，所沉积 SiOx 薄膜中的无机 成分均随之增多。 关键词：常压射频等离子体；脉冲调制；占空比；功率；SiOx薄膜 II Process of SiOx film pulsing atmospheric pressure RF plasma discharge deposition ABSTRACT Si0x thin film has been used in many fields, since it is excellent in the properties such as optical transparency, dielectric, hardness, corrosion resistance, anti-resistance, etc. Many different deposition technologies were developed for different purposes. Atmospheric pressure pulse modulated rf plasma technology has attracted much attention, due to its advantages such as high plasm