掺杂ZnO铁磁性起源的第一性原理研究-材料科学与工程专业论文.docx

摘要 摘 要 湘潭大 湘潭大学博士学位论文 摘 要 ZnO 基稀磁半导体在自旋电子器件方面存在广阔的应用前景，因此引起了人 们的广泛关注。制备高质量的具有室温铁磁性的 ZnO 基稀磁半导体成为人们的 研究目标。在实验上，获得室温铁磁性的 ZnO 基稀磁半导体的报道不断涌现， 但是，人们对其铁磁性的产生机理在理论上还没有达成共识。要提高稀磁半导体 材料的性能，设计新的方法来提高磁相互作用，对其磁性起源及机理的研究是至 关重要的。本文主要从基于密度泛函理论的第一性原理出发，对 ZnO 基稀磁半 导体进行了系统的研究，通过对其电子结构的计算，分析其磁性产生机理。研究 结果为人们对 ZnO 基稀磁半导体材料的性能的改进提供了新的思路。 本论文的主要研究成果如下： 1．从各个角度对 Mn 掺杂 ZnO 体系铁磁性起源进行了探究。首先，通过对 Mn 吸附 ZnO(10 10 )表面研究发现，Mn 原子趋于吸附在断开的 Zn-O 键的桥位。 Mn 原子趋于聚集，有形成团簇的趋势，此时体系显示出稳定的反铁磁性。随着 Mn 原子距离的增加，这种反铁磁性耦合急剧的减弱。其次，研究了 Mn 掺杂 ZnO 中本征缺陷氧空位对体系磁性能的影响，结果发现单一的中性的氧空位不能诱导 铁磁性，而+1 价和+2 价的氧空位可以诱导铁磁性的产生。中性的氧空位在氢化 的环境下可以诱导铁磁性。 2．利用共掺杂手段对 Mn、Co 掺杂 ZnO 体系的铁磁性进行调控。首先，分 别用 GGA 和 GGA+U 方法对 Mn，N 共掺杂 ZnO 体系进行了细致的研究。结果 均表明 N 的引入改变了 Mn 离子的价态，并且可以实现 Mn 掺杂 ZnO 体系由反 铁磁性到铁磁性的转变。其次，对 Co，Al 共掺杂 ZnO 体系进行了细致的研究。 研究发现,相对于反位取代和间隙位置，Al 离子倾向于取代 Zn 位置，低浓度的 Al 掺杂不能诱导室温铁磁性。在 Al 掺杂剂浓度较低时，氧空位的引入可以诱导 室温铁磁性，此时体系的室温铁磁性起源可用 BMP 模型来解释。当 Al 掺杂剂的 浓度达到临界浓度时，即使体系无氧空位缺陷，体系也显示出室温铁磁性，此时 自由载流子调节了室温铁磁性。 3．对两种非磁性金属元素掺杂 ZnO 铁磁性起源进行了研究。研究发现，对 于 3d 壳层全满的 Cu 掺杂 ZnO，体系的铁磁性归因于 Cu 的 3d 和 O 的 2p 轨道 间的强烈的杂化作用。而对于不含 3d 电子的非磁性金属元素 Li、Mg、Al 掺杂 ZnO 体系，铁磁性主要来自于体系中的 Zn 空位间的耦合作用。Li、Mg、Al 掺 杂 ZnO 在一定程度上减少了 Zn 空位的形成能同时稳定了体系的铁磁态。 4．分别对两种非磁性元素掺杂(ZnO)12 纳米团簇的磁性能进行了研究。研究 I PAGE PAGE VI III III 发现，对于 Cu 掺杂(ZnO)12 纳米团簇，与 Cu 掺杂 ZnO 块体不同，此时体系的基 态是反铁磁性的，说明掺杂尺寸对体系的基态磁序有较大的影响。对于 C 掺杂 (ZnO)12 纳米团簇，基态磁序受掺杂 C 原子间距离的影响非常敏感。在适当的 C???C 距离下，体系显示出铁磁性，铁磁性主要是由空穴通过两个 C 原子和其共有的 O 原子间的强的 p-p 耦合作用来调节的。 关键词：稀磁半导体；氧空位；铁磁性；第一性原理；电子结构 Abstract ZnO-based diluted magnetic semiconductors (DMSs) have attrached much attention for their broad application prospects in spintronic devices. The research aim of people is to prepare DMSs which have good quality and room temperature (RT) ferromagnetism. Many groups have observed RT ferromagnetism in ZnO-based DMSs through experiments. However, the origin of ferromagnetism of ZnO-based DMSs still remains a controversial issue. To improve the physical properties of these materials, it is crucial to understand magnetic mechanism, and design new approaches to en