带隙发光-(精选·公开·课件).pptVIP

带隙发光 第一组：王磊 王建俊 直接带隙发光 直接带间跃迁 直接带隙发光是指处在导带的电子在光子的作用下直接从半导体的导带跃迁到价带并辐射出光子的过程。 电子的这种不需要其它粒子（如声子）参与的跃迁过程被称为直接带间跃迁。 直接带间跃迁 直接带间跃迁 直接带间跃迁的动量守恒关系为 直接带间跃迁 直接带间跃迁的分类 允许的直接跃迁 允许的直接跃迁 允许的直接跃迁 允许的直接跃迁 直接带隙发光 * * 固体中的带隙 固体中绝缘体和半导体的电子能带结构如下图： 其中价带相当于阴离子的价电子层，完全被电子充满，价带与导带之间有一定宽度的能隙，在能隙中不存在电子的能级，固体吸收的能量只有大于电子能隙才能被激发。而当电子从导带回到价带时，就会释放相应能量的光子，从而产生发光。 固体中的带隙 还有一类吸收的能量低于能隙宽度，电子由价带向低于导带的底部的能级跃迁，可以看成是电子-空穴的激子能级。 当晶体吸收一个能量大于能隙的光子时，就会产生一个自由电子和一个自由空穴，它们由于静电吸引相互作用而舒服在一起，正如一个电子被舒服与一个质子一样。束缚的电子-空穴系统被称为激子。 固体中的带隙 对于直接过程，阀值条件；对于声子促进的间接过程，能阀降低，降低的能量值等于声子的能量，但是在激子的产生过程中能量相对于上述能阀更低，降低的能值等于激子的束缚能。 固体中的带隙 下图为导致在能隙以下形成激子的跃迁 光照可以激发价带的电子到导带，形成电子-空穴对，这个过程称为本征光吸收，本征光吸收光子能量 应满足： 或者 固体中的带隙 这表明存在长波极限 称为本征吸收边。在本征吸收边附近的光跃迁有两种类型。第一种对应于导带底和价带顶在k空间相同点的情况，电子吸收光子自价带k状态跃迁到导带 态时，除了必须满足能量守恒外，还必须符合准动量守恒的选样定则，即 在讨论本征吸收时，光子的动量可以忽略。因为本征吸收光子的波矢为 ，而在能带论中布里渊区的尺度数量级是 ，因此，光吸收的选择定则可以近似的写为: 也就是说，在跃迁过程中，波矢可以看成是不变的，在能带的 图上，初态和末态几乎在同一条竖直线上，这样的跃迁称为竖直跃迁。 第二种类型对应于导带底和价带顶在k空间不同点的情况，这时在吸收边附近的光吸收过程是所谓的非竖直跃迁，在这种情况下，单纯吸收光子不能使电子由价带顶跃迁到导带底，必须在吸收光子的同时伴随有吸收或发射一个声子，能量守恒关系为： 固体中的带隙 但是声子能量很小，近似有： 电子能量差=光子能量 而准动量守恒的跃迁定则为: 固体中的带隙 也就是说，在非竖直跃迁中，光子主要提供跃迁所需要的能量，而声子则主要提供跃迁所需要的准动量，与竖直跃迁相比，非竖直跃迁是个二级过程，发生几率要小得多。通常我们把导带底和价带顶处于k空间同一点的半导体，称为直接带隙半导体，而把把导带底和价带顶处于k空间不同点的半导体，称为间接带隙半导体。 固体中的带隙 导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子，是上述光吸收的逆过程，称为电子-空穴对复合发光。一般情况下电子集中在导带底，空穴集中在价带顶。发射电子的能量基本上等于带隙宽度。由于与光吸收同样的原因，在直接带隙半导体中这种发光的几率远大于间接带隙半导体，因此制作利用电子-空穴复合发光器件时，一般要用直接带隙半导体。发光颜色取决于带隙宽度。 固体中的带隙 带隙宽度是半导体能带的一个基本参数，可以用上述本征光吸收的实验来测定，可也以用电导率随温度变化的实验来测定。用光学方法还可以确定是直接还是间接带隙半导体。锗、硅都是间接带隙半导体。GaAs、InSb是直接带隙半导体，HgTe是半金属，导带和价带之间有能带交叠。 带隙宽度 直接带间跃迁的能量守恒关系为 式中， 为处在价带的电子的能量， 为电子跃迁到导带后的能量。取绝对值是因为取价带的顶部能量为能量原点。 图1直接跃迁示意图 其中 表示光子的波矢，因为光子波矢与电子波矢相比要小几个数量级，故可以忽略，因此直接带跃迁的波矢关系为 表示一个电子吸收一个光子的能量后，从价带跃迁到波矢相同的导带，这中间没有其它过程参与。 我们在讨论光与固体的相互作用的过程中，通常用绝热近似和单电子近似。所谓绝热近似是指，因为电子与原子核的质量相差很大，在讨论电子跃迁时，可以认为原子核是不动的。而单电子近似是指，不考虑电子之间的相互耦合，即一个光子只会与一个电子相互作用。 一个吸收过程的吸收光谱可以表示为 其中