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计算输出反射系数 可由55.6欧的电阻与0.48nH的电感串联形成。 正反馈元件的加入 为降低晶体管的稳定性,保证起振,可加入反馈电感 网络串联后 例:设在2 GHz时晶体管的共基极连接S参数为: 写出晶体管和电感器L的阻抗矩阵分别为: 两个阻抗矩阵相加可得到总的阻抗矩阵,然后再变回S矩阵,从而得出S参数。改变L的值即可求出相应的稳定因数K的变化曲线, 由图a可见,当电感量L=0.6 nH时,K的值最小,电路最不稳定,即最容易起振。 例 设计一微带线场效应管振荡器,要求振荡频率为10GHz,测得所用管子(ATFl3100) 在共栅极连接时的S参数为: 并要求振荡器与50欧的负载匹配。 解: 求出K与L的关系如图曲线b 取L=0.9nH,这时K最小 用短路线实现电感,其长度为: 在栅极接入这一短路线后,S参数为: 确定输入网络 计算输出反射系数: 为了将50欧的负载变换为ZL,可以由并联一50欧的长66度的短路线和串联一段67度的50欧线实现 计算输出匹配网络 介质谐振器振荡器 为了使振荡信号频率稳定、相位噪声低,需要加入稳频网络或选频网络 稳频网络或稳频网络可用高Q谐振器实现 金属腔体Q值高,可产生优良的相位噪声特性和频率稳定特性,但体积和重量大,不易小型化。 介质谐振器(DR)Q值高,重量轻,体积小,温度系数低(优于±10×10-6/℃ ),常用于射频电路的稳频网络。 DR用于反馈网络 DR用于输出网络 DR用于输入网络 介质谐振器及其等效电路 用于DR用于输入网络的设计 设计工作于8 GHz的介质谐振器振荡器,应用的场效应管的S参数为:S11= 1.1∠170o,Sl2=0.4∠-98o,S2l=1.5∠-l63o,S22=0.9∠-176o。DR的参数为:谐振频率为8GHz,耦合系数=7,空载品质因数Qo=5000。设DR放置于微带线侧的中间,求场效应管输入端50欧姆微带线的长度。 例 解: YIG调谐宽频带振荡器 YIG(yttrium iron garnet,钇铁石榴石)是一种铁氧体材料。 YIG损耗很小 对于磁化小球形状YIG,当小的微波场以垂直于静磁场的方向加于YIG时出现谐振 可以用磁化它的直流磁场来调谐谐振频率 目前已达到500 MHz~50 GHz的调谐范围 YIG谐振器 YIG谐振器用于输入回路 小结 引言 振荡器的作用 振荡器的类型 负阻振荡器的原理 负阻二极管振荡器设计 晶体管振荡器 习题 P286:12-6,12-8 Research Institute of RF Wireless Techniques South China University of Technology Research Institute of RF Wireless Techniques 射频电路与天线 RF Circuits and Antennas第19讲 振荡器 第19讲内容 教材P263-276 引言 振荡器的作用 振荡器的类型 负阻振荡器的原理 负阻二极管振荡器设计 晶体管振荡器 19.1 引言 射频振荡器: 产生所需频率、幅度的射频信号的部件。 作为射频、微波射频系统(如雷达、通信、导航、电子战等)的信号源。 射频振荡器的类型: 电真空管类振荡器 速调管、磁控管、行波管 可工作在分米波、厘米波、毫米波和亚毫米波 功率从几mW到MW 固态源 晶体管振荡器、二极管振荡器 可工作到毫米波 功率可到几十瓦 射频固态源 二极管振荡器 砷化镓体效应管振荡器(Gunn二极管振荡器) 雪崩二极管(IMPACTT管)振荡器 晶体三极管振荡器: 硅双极型(BJT) 砷化镓场效应管(FETs) 锗化硅(SiGe)等异质结双极型(HBT) 在输出功率及效率两方面,体效应二极管振荡器都不如雪崩二极管振荡器。 在相位噪声方面体效应二极管振荡器比雪崩二极管振荡器好。 工作频带宽,效率高, 相位噪声优于二极管振荡器;功耗小, 工作温度较低, 可靠性较高 最高振荡频率低于二极管振荡器。 振荡器分析与设计的难点: 工作于非线性区域,因此属非线性分析 器件模型本身也不准确。 振荡器分析与设计模型: 低频电路:反馈模型 射频电路:负阻模型 放大器A 反馈网络F Vi Vo Vf 起振条件: 振荡器的工作参数 输出功率:Pout 振荡频率:fout 频率漂移(长期稳定度):⊿f/oC、 ⊿f/天、 ⊿f/年 相位噪声(调频噪声、短期稳定度): 谐波抑制 相位噪声dBc: 谐波抑制dBc: 19.2 负阻振荡器原理 负阻振荡器模型 负阻: 交流阻抗为负,即电压与电流相位相差180度 注意:直流电阻依然是正的。 iD uD A B
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