化学气相沉积(中文版)2016(最新修正版）.ppt

浅沟槽绝缘(STI) 成长衬垫氧化层沉积氮化硅 蚀刻氮化硅，氧化硅与硅基片 成长阻挡氧化层 CVD USG 沟槽填充 CMP USG USG 退火 Si Si Si Si Si 剥除氮化硅与氧化硅 USG USG USG Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 浅沟槽绝缘 (STI) Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 侧壁空间层形成 基片 多晶硅栅极 二氧化硅 基片 多晶硅栅极 二氧化硅侧壁空间层 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 金属沉积前的介电质层(PMD) PMD:金属沉积前的流平层 为降低流平温度，PMD一般为掺杂的氧化物PSG或BPSG PSG(掺磷SiO2,即磷硅玻璃)： 可减少硅玻璃的加热回流温度,可以形成更为平坦的表面. BPSG (在PSG基础上掺硼形成的硼磷硅玻璃) ：可以进一步减低回流的圆滑温度而磷的浓度不会过量 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * PSG在摄氏1100 °C, N2气氛中退火 20分钟回流圆滑情形 0wt% 4.6wt% 2.2wt% 7.2wt% 资料来源: VLSI Technology, by S.M. Sze 磷越高,回流的温度越低 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * BPSG在摄氏 850 °C和N2气氛中回流圆滑30分钟 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * PMD制程的发展 尺寸 PMD 平坦化 再流動溫度 2 m m PSG 回流圓滑 1100 。C 2 - 0.35 m m BPSG 回流圓滑 850 - 900 。C 0.25 m m BPSG 回流圓滑+ CMP 750 。C 0.18 m m PSG CMP - CMP:化学机械抛光 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 沉积制程 岛状物成长 岛状物成长，横截面图 岛状物合并 连续薄膜 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * CVD制程 APCVD：常压化学气相沉积法 LPCVD：低压化学气相沉积法 PECVD ：等离子体增强型化学气相沉积法 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 加热器 晶圆 N2 N2 制程气体 排气 晶圆 输送带 输送带清洁装置 APCVD反应器示意图 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 常压化学气相沉积法(APCVD) APCVD制程发生在大气压力常压下,适合在开放环境下进行自动化连续生产. APCVD易于发生气相反应,沉积速率较快,可超过1000?/min,适合沉积厚介质层. 但由于反应速度较快,两种反应气体在还未到达硅片表面就已经发生化学反应而产生生成物颗粒,这些生成物颗粒落在硅片表面,影响硅片表面的薄膜生长过程,比较容易形成粗糙的多孔薄膜,使得薄膜的形貌变差. Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 低压化学气相沉积法(LPCVD) 低气压(133.3Pa)下的CVD较长的平均自由路径可减少气相成核几率,减少颗粒,不需气体隔离,孔洞少，成膜质量好 但是反应速率较低,需要较高的衬底温度 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 低压化学气相沉积系统 加热线圈 石英管 至真空帮浦 压力计 制程气体入口 晶圆装载门 晶圆 中心区 均温区 距离 温度 晶舟 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 等离子体增强型化学气相沉积(PECVD) 射频在沉积气体中感应等离子体场以提高反应效率，因此，低温低压下有高的沉积速率. 表面所吸附的原子不断受到离