集成电路工艺之光刻与刻蚀工艺dl9zhogd.pptVIP

溅射与离子束铣（xi）蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为RIE)：通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术 DRY ETCHING 干法刻蚀 DRY ETCHING 干法刻蚀 干法刻蚀优点： 分辨率高 各向异性腐蚀能力强 某些情况下腐蚀选择比大 均匀性、重复性好 便于连续自动操作 干法刻蚀的应用 Si，Si3N4，SiO2 Poly-Si, 硅化物 Al及其合金 耐熔金属（Mo，W，Ta，Ti） DRY ETCHING 干法刻蚀 1) Si， SiO2 ， Si3N4 CF4→ F*（ 氟游离基：CF3，CF2，CF） Si+4F*→ SiF4 SiO2+4F*→ SiF4+O2 Si3N4+12F*→ 3SiF4+2N2 CF4+少量H2：（P253 图8.29） CF4 / F*浓度比增加，会使SiO2、 Si3N4相对于Si腐蚀速率增加，使SiO2 /Si刻蚀的选择性增强 CF4+少量O2： （P253 图8.23） 增加所有的腐蚀速率,使SiO2 /Si刻蚀的选择性变差 2) Poly-Si（多晶硅化金属） 刻蚀要求： 各