垂直生长石墨烯的制备及其超级电容器性能研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

Classified Index: TM23 U.D.C.: 31. Dissertation for the Master Degree in Engineering STUDY ON THE SYNTHESIS AND SUPERCAPACITOR PROPERTIES OF VERTICALLY ALIGNED GRAPHENE Candidate： Zhang Fu Supervisor： Prof. Fei Weidong Academic Degree Applied for： Master of Engineering Specialty： Materials Physics and Chemistry Affiliation： School of Materials Science and Engineering Date of Defence： November, 2014 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 摘 要 超级电容器（尤其是双电层电容器）具有功率密度高、充放电速率快、循环寿 命达万次以上等优点，在诸多领域得到了广泛的应用。目前虽然对双电层电容器的 研究取得了一定进步，但相对较低的能量密度仍然制约了其实际应用。利用等离子 体化学气相沉积方法（PECVD）制备的原位垂直生长的石墨烯（VFG）作为电极材 料，可以组装成比表面积大、导电性能优异且比电容足够大的超级电容器。本文中 采用 PECVD 方法在 Pt/Si 基底表面制备 VFG，将 VFG/Pt 电极材料直接作为集电体 应用到超级电容器上，研究其双电层电容器电化学性能。. PECVD 方法在 Pt/Si 基底材料上生长 VFG 工艺，重点讨论了生长温度、生长 时间、射频功率、工作总压强和气体流量比等工艺参数对 Pt 表面生长 VFG 的影响 规律，优化出最佳的 VFG 制备工艺参数，制备的石墨烯均垂直于基底生长分布均 匀，密度适中，石墨化程度高，石墨烯的厚度为 3-10 个原子层，高度在 100nm 左 右。结合 SEM、HRTEM 结果分析，揭示了 VFG 在 Pt 表面的生长机理。 为克服 VFG 表面电解液润湿差的难题，提出了一种缺陷诱导润湿性提高 VFG 电化学性能的新方法。通过微调 Ar:H2 气体流量比的方法来调控 VFG 表面本征缺陷， 进而改善其水系电解液在其表面的润湿性，提高比电容。研究表明，VFG 的表面缺 陷增多，其表面润湿性显著得到改善，ID/IG 由 1.3 增加到 2.0，润湿角由 131°降为 73°，VFG 的比电容值由 263 μF/cm2 提升至 703 μF/cm2。而且，VFG 具有非常优异 的循环稳定性，经 3000 次循环之后仍保持了原来 91.2%的比电容。同时，揭示了石 墨烯的比电容值、缺陷度和润湿性之间的相关性。 基于缺陷诱导石墨烯润湿性提高其电化学性能理念，提出了一种倾斜式等离子 体表面改性提高石墨烯电化学性能的方法。研究表明，通过氩等离子体垂直式表面 处理后，VFG 表面形貌没有发现明显改变，但表面缺陷度显著提高，表面水系电解 液的润湿性得到一定程度改善，其比电容值提高 110%。另一方面，通过倾斜式氩 离子体表面改性处理后，相对垂直式虽然 VFG 表面形貌以及缺陷度相类似，但是 表面润湿性得到了显著提升，润湿角也从未刻蚀的 131°降为 33°，其比电容能够由 263 μF/cm2 提高到 1014 μF/cm2@2 mV/s，提高了 285%的比电容，获得了高性能 VFG-Pt 超级电容器电子材料。 关键词：垂直生长石墨烯；等离子体化学气相沉积；超级电容器；缺陷诱导润湿性； 等离子体表面改性 -I- Abstract Electric double-layer capacitors(EDLC), also known as supercapacitors or ultracapacitors, are promising for energy storage because of advantages including high power capability, high cycle efficiency, long cycle life and being maintenance free. Although tremendous progress has been made, the relatively low specific capacitance of EDLCs still limits their practical application. Vertically aligned