硅桥调控的聚茂钒体系电子结构和输运性质-IngentaConnect.PDF

物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) October Acta Phys. -Chim. Sin. 2016, 32 (10), 2495－2502 2495 [Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201606295 硅桥调控的聚茂钒体系电子结构和输运性质 裴 蕾 张桂玲* 尚 岩 孙翠翠 甘 甜 (哈尔滨理工大学化学与环境工程学院，哈尔滨150080) 摘要：利用密度泛函理论和非平衡格林函数的方法对硅桥调控后的聚茂钒体系([V(Cp) (SiH ) ] (n = 1 (a) ， 2 2 n m n = 2 (b)，n = 3 (c)；m = ∞；Cp = 环戊二烯基))的电子结构和输运性质进行了研究。研究结果表明：随着硅 桥的增长，V-V 的铁磁性耦合变弱而反铁磁性耦合增强。a 和b 证实为铁磁性基态，而c 更倾向为反铁磁性基 态。a 和b 的铁磁性基态中的每个钒原子的磁距为3.0µ ，超过钒-苯络合物或者纯聚茂钒体系的3 倍。a－c 的 B 输运性质同它们的电子结构相一致，导电性变化规律为c b a 。对于a 和b，自旋向下状态的导电性略强 于自旋向上状态。a 和c 都发生了明显的负微分电阻效应而b 却没有，这主要是由于两个二茂钒的排列取向 不同：a 和c (SiH 为奇数) 中二茂钒呈V-型取向排列，进而导致了类似于离子键的量子点耦合，而b (SiH 是 2 2 偶数) 中二茂钒是平行-型取向排列，从而导致了类似于共价键的量子点耦合。此外，由于散射区和两个电极 之间的不对称耦合，a－c 的导电性对电压施加方向较敏感。 关键词：硅桥键；聚茂钒；电子结构；输运性质；理论研究 中图分类号：O641 Silicon Bridge-Tuned Electronic Structures and Transport Properties of Polymetallocenes PEI Lei ZHANG Gui-Ling* SHANG Yan SUN Cui-Cui GAN Tian (College of Chemical and Environmental Engineering, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150080, P. R. China) Abstract: Silicon bridge-tuned electronic structures and transport properties of polymetallocenes, [V(Cp) (SiH ) ] (n = 1 (a), n = 2 (b), n = 3 (c); m = ∞; Cp = cyclopentadie