（毕业论文设计）-ESD仿真的模型研究（学术精品）.docx

浙江大学硕士学位论文 STYLEREF 标题,章标题(无序号) \* MERGEFORMAT Abstract PAGE i ESD仿真模型研究 摘要 随着半导体加工工艺从亚微米、深亚微米向纳米尺度的推进，静电放电对集成电路的破坏越来越严重，芯片也变得越来越容易受到ESD现象的破坏，因此需要针对芯片专门设计ESD，设计的难度也在随着工艺的发展而增加。TCAD仿真软件对于ESD的设计起到了很大的辅助作用，缩短了开发周期。而ESD现象的极端性和复杂性，又使得用TCAD软件现有的模型进行仿真时，会出现很多问题。对此，本文对当下最新的TCAD软件SENTAURUS的模型，以及目前使用最广泛的三种ESD器件进行研究，找到适合的仿真方式，得到准确的器件参数，以辅助ESD的设计。主要研究工作： 1. 系统地介绍了工艺仿真和器件仿真的流程和原理，介绍了每个工艺步骤以及对应的模型，和器件仿真各效应对应的模型，并且对比了不同模型之间的区别和适用条件。 2. 具体介绍了ESD仿真过程中使用的SENTAURUS工具和使用方法，指出网格定义，优化在整个仿真过程中的重要性，介绍了SENTAURUS的新网格工具和优化方法，以及如何使用这些工具以确保仿真的准确性和顺利进行。 3. 深入分析了各种ESD器件在工作状态所出现的效应，与之对应的物理公式，分析了它们的使用范围，确定描述这些效应的物理模型。 4. 对比了同类模型的使用情况，以及仿真结果。 5. 分析了三类ESD器件的工作原理，和仿真结果，针对模型和器件修改参数，讨论了特定工艺下仿真器件的特性和设计情况。 关键词：　ESD , 仿真，SENTAURUS , TCAD , 模型，回滞曲线，触发电压，维持电压，设计 浙江大学硕士学位论文 Abstract PAGE iii 浙江大学硕士学位论文 Abstract PAGE ii Abstract As the scale of semiconductor device from sub-micron, deep sub-micron to nanometer, electrostatic discharge damage to the integrated circuit has become more and more serious, the chip has become increasingly vulnerable to ESD damage, the difficulty of ESD design is increasing. The applications of TCAD tools on ESD make the design of ESD protection devices more convenient, and greatly shorten the development cycle. However, due to the complicated physical mechanism of ESD, the extremely high field and high temperature of ESD phenomenon, make a lot of problems of simulation. This paper studied the latest TCAD software SENTAURUS and models included, and three kinds of ESD devices that the most widely used presently, to find a suitable emulation mode for getting accurate device parameters, to support the design of ESD. And the main content of this paper include: First, systematically introduces the process simulation and device simulation and principles,