第一章 半导体物理基础幻灯片课件.ppt

第一章 半导体物理基础;晶体结构; CrystalLattice: The periodic arrangement of points in a crystal.Basis: The constituent atoms attached to each lattice  point. Every basis is identical in composition,  arrangement, and orientation. Crystal= Lattice+ Basis; Crystal;Unit cell: Lattice can be constructed by repeatedly arranging unit cell;Primitive Cell : A unit cell is called as primitive unit cell if there is no cell of smaller volume that can serve as a building block for crystal structure;Crystal Structure;Crystal Structure;Crystal Structure;System ;—倒格矢： 基本参数: a*, b*, c* (a?a*=2?, a ?b*=0, etc.) 应用：波矢k空间的布里渊区;—沿晶体的不同方向，晶体的机械、物理特性也是不相同的，这种情况称为晶体的各向异性。用密勒指数表示晶面。 —密勒指数（Miller indices)：表示晶面 （1）确定某一平面在直角坐标系三个轴上的截点，并以晶格常数为单位测出相应的截距； （2）取截距的倒数，然后约化为三个最小的整数，这就是密勒指数。;Miller Indices;Miller Indices;Miller Indices;常用半导体材料的晶格结构;价键;单晶硅;半导体载流子：电子和空穴;半导体器件基础;§1-2 半导体能带结构;§1.2.1 能带的概念 ;单电子近似;晶体是由大量的原子结合而成的，因此各个原子的电子轨道将有不同程度的交叠。电子不再局限于某个原子，而可能转移到其他原子上去，使电子可能在整个晶体中运动。晶体中电子的这种运动称为电子的共有化。由于晶格是势场的周期性函数，我们有 式中V（x）为周期性势场，s为整数，a为晶格常数。 势场的周期与晶格周期相同。晶体中的电子在周期性势场中运动的波函数其振幅随x作周期性变化，其变化周期与晶格周期相同，这反映了电子不再局限于某个原子，而是以一个被调幅的平面波在晶体中传播。基本方程为薛定谔方程： ;电子由一个原子转移到相邻的原子去,因而,电子将可以在整个晶体中运动。 ;固体的量子理论认为，当原子凝聚成固体时，由于原子间的相互作用，相应于孤立原子的每个能级加宽成间隔极小（准连续）的分立能级所组成的能带，能带之间隔着宽的禁带。能带之间的间隔不允许电子具有的能量。金刚石结构的晶体形成的能带图如下。n个原子组成晶体，原子间相互作用，n重简并能级分裂，n个连续的分离但挨的很近的能级形成能带。;不同材料的能带图;能带温度效应;直接带隙半导体;间接带隙半导体;§1.2.2 有效质量的概念 ;;;;;;;;;;绝对零度时，半导体中的情况;两种温度情况下的能带图;;;;;? ;§1.2.3 多能谷半导体 ;§1.2.4 态密度 ; §1.3 载流子平衡浓度; §1.3.1 有效态密度;表1-1 Si、Ge、GaAs的载流子有效质量、有效状态密度及禁带宽度（300K） ; §1.3.2 本征半导体;本征载流子浓度 ;讨论; §1.3.3 非本征半导体;施主与受主 ;n-Si: 掺杂浓度越高，EF便越高 p-Si:掺杂浓度越高，EF便越低;电荷守恒定律;例子：硅棒中掺杂浓度为1016cm－3的As原子。 ;温度效应; ★ 载流子的散射;;;; ★ 电离杂质的散射; ★ 晶格散射;;图4-7;Γ;;; ;图4-10;;★ 其他因素引起的散射; §1.4 载流子输运现象;迁移率?;重要半导体材料的属性;Si中迁移率和杂质浓度的关系;电阻率;Si的电阻率与掺杂水平;霍耳效应;Einstein关系;电流密度方程;强电场效应; §1.5 非平衡载流子; §1.5.1 载流子注入;§1.5.2 产生与复合过程;直接复合;间接复合的四个过程 甲-俘获电子；乙-发射电子； 丙-俘获空穴；丁-发射空穴。 ;净复合率U(cm-3/s