得到的形貌最适合场发射但由于最高温度不用-SunYat-senUniversity.PPTVIP

School of Physics Engineering Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China 请在此处填入科研题目 项目完成人： 年级专业： 指导老师： 钼(molybdenum)是一种重要的高熔点金属，有很好的导电性和导热性，同时在高温状态下性能稳定，使得其在场致发射领域很早便受到多方面的关注，钼也是最早被用于场发射冷阴极的材料。 准一维纳米结构具有发射阈值电场低、发射电流大的特点，有利于场发射的发生。金属钼作为准一维纳米材料的杰出代表，满足大电流工作冷阴极的应用要求，因此对金属单质钼的准一维纳米材料制备技术及其特性的研究有重要意义。 以场发射冷阴极为目标，利用热蒸发方法制备钼纳米线薄膜，利用SEM、XRD、TEM等技术表征其形貌、结构和物性。 图1 图2 图3 图1：保温温度低(1350℃)的情况下得到的形貌。图2：蒸发系统氧含量过少产生的形貌。图3：改变衬底放置位置—将衬底直接放在蒸发源中加热得到的形貌。 图5.1 图4.1 图4.2 图5.2 实验结果表明：当真空度8.0Pa，保温温度达到1380度左右，保温时间15分钟时，得到的形貌最适合场发射。但由于最高温度不用，图4.1与5.1得到的两种形貌略有不同。图4.2与图5.2为其XRD图像，显示出尖锥生长晶向的不同。 创新点：将“外延生长”概念引入到热蒸发法制备钼纳米材料中,选用各种不同的衬底,考察材料在衬底上生长的情况。基体与薄膜材料的结晶相容性，取决于它们的晶格失配数：M=(b-a)/a 图6 是单质Mo在Si(100)衬底上生长的简单示意图。图像显示主峰（110）代表体心立方结构Mo [a= 0.31472 nm (JCPDS card No.42-1120)]的生长方向，由于单质Mo可判断为竖直生长，则有[110]mo//[001]Si ,晶格失配常数可以计算出来： M=(0.31472*21/2-0.54309)/0.54309≈18.05% 物理学国家基础科学研究与教学人才培养基地 20？？-20？？学年本科生科研项目成果展示 School of Physics Engineering Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China 请在此处填入科研题目 项目完成人： 年级专业： 指导老师： 钼(molybdenum)是一种重要的高熔点金属，有很好的导电性和导热性，同时在高温状态下性能稳定，使得其在场致发射领域很早便受到多方面的关注，钼也是最早被用于场发射冷阴极的材料。 准一维纳米结构具有发射阈值电场低、发射电流大的特点，有利于场发射的发生。金属钼作为准一维纳米材料的杰出代表，满足大电流工作冷阴极的应用要求，因此对金属单质钼的准一维纳米材料制备技术及其特性的研究有重要意义。 以场发射冷阴极为目标，利用热蒸发方法制备钼纳米线薄膜，利用SEM、XRD、TEM等技术表征其形貌、结构和物性。 图1 图2 图3 图1：保温温度低(1350℃)的情况下得到的形貌。图2：蒸发系统氧含量过少产生的形貌。图3：改变衬底放置位置—将衬底直接放在蒸发源中加热得到的形貌。 图5.1 图4.1 图4.2 图5.2 实验结果表明：当真空度8.0Pa，保温温度达到1380度左右，保温时间15分钟时，得到的形貌最适合场发射。但由于最高温度不用，图4.1与5.1得到的两种形貌略有不同。图4.2与图5.2为其XRD图像，显示出尖锥生长晶向的不同。 创新点：将“外延生长”概念引入到热蒸发法制备钼纳米材料中,选用各种不同的衬底,考察材料在衬底上生长的情况。基体与薄膜材料的结晶相容性，取决于它们的晶格失配数：M=(b-a)/a 图6 是单质Mo在Si(100)衬底上生长的简单示意图。图像显示主峰（110）代表体心立方结构Mo [a= 0.31472 nm (JCPDS card No.42-1120)]的生长方向，由于单质Mo可判断为竖直生长，则有[110]mo//[001]Si ,晶格失配常数可以计算出来： M=(0.31472*21/2-0.54309)/0.54309≈18.05% 物理学国家基础科学研究与教学人才培养基地 20？？-20？？学年本科生科研项目成果展示