有关IGBT驱动几个基本问题.PDF

关于IGBT驱动的几个基本问题 内容 门极电压 - 开通电压：对饱和电压和短路电流的影响 - 关断电压：对关断和损耗的影响 门极电阻 - 对开关能耗和开关特性的影响 - 选择和配置的注意事项 驱动与保护 - 线路设计的几个原则 - 门极箝位，有源米勒箝位（Active Miller Clamping） - 有源箝位（Active Clamping） ，动态电压上升控制（DVRC） - 短路保护：Vce检测，软关断，两电平关断 对目前驱动器产品的评价（仅供参考） Page 2 门极电压：开通电压+Vge Tvj=125°C 对饱和电压的影响 Vge，Vcesat 注意：Vge规格-最大允许值±20V Tvj=125°C 对短路电流的影响 Vge，Isc （tsc） Page 3 门极电压：关断电压-Vge或0V 用-Vge（-5V…-15V)使IGBT 关断更可靠，有利于防止误 开通。 用0V关断，可考虑采用有源 米勒箝位使关断更可靠（见 后页“驱动与保护”）。 用0V…+15V开关时，门极电 荷较小(以600V IGBT3为例， Qg为-15V…+15V时的40%）， 米勒电容对门极的影响（半桥中另一IGBT开通时） 门极驱动电流较小。 用0V关断时，toff和Eoff较 大（以600V IGBT3为例： toff为-15V时的2-3倍，Eoff 比-15V时增加约10%）。 注意：Vge规格-最大允许值±20V 寄生电感对门极的影响（半桥中另一IGBT开通时） Page 4 门极电阻 Rg对开通影响大，表现在以下几个方面： - 开通能耗（Eon） Rg较小 - IGBT的电流尖峰（续流二极管的反向恢复电流） - dv/dt Rg对关断影响不明显，表现在以下几个方面： - 关断能耗（Eoff） - di/dt（主要由芯片技术决定，Rg很大时才有影响） 开通 波形 - dv/dt Rg对开通和关断延时都有影响 Rg中等 Eon，Eoff 关断波形 Rg较大 Page 5 门极电阻 Rg下限：规格书中的测试条件 Vcc Rg上限：IGBT损耗/发热，死区时间 功率计算（假设驱动功耗都消耗在 Driver Rg上）： Pg = ∆Vge × Qg × fsw × 2 其中：