等离子体刻蚀-精品·公开课件.ppt

等离子体刻蚀 目录 等离子体的原理及应用 等离子刻蚀原理 等离子刻蚀过程及工艺控制 检验方法及原理 什么是等离子体？ 随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。它们统称为物质的三态。 如果温度升高到10e4K甚至10e5K，分子间和原子间的运动十分剧烈，彼此间已难以束缚，原子中的电子因具有相当大的动能而摆脱原子核对它的束缚，成为自由电子，原子失去电子变成带正电的离子。这样，物质就变成了一团由电子和带正电的的离子组成的混合物 。这种混合物叫等离子体。它可以称为物质的第四态。 等离子体的产生 等离子体刻蚀原理 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 。（这是各向同性反应） 这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。 等离子体刻蚀反应 等离子体刻蚀工艺 装片 　在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。 工艺参数设置 边缘刻蚀控制 短路形成途径 由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。 控制方法 对于不同规格的硅片，应适当的调整辉光功率和刻蚀时间使达到完全去除短路通道的效果。 检验方法 冷热探针法 检验原理 热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。 同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。 此电势差可以用简单的微伏表测量。 热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁。 检验操作及判断 确认万用表工作正常，量程置于200mV。 冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。 用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。 如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。 去除磷硅玻璃 什么是磷硅玻璃？ 在扩散过程中发生如下反应： POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子： 这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。 磷硅玻璃的去除 氢氟酸是无色透明的液体，具有较弱的酸性、易挥发性和很强的腐蚀性。但氢氟酸具有一个很重要的特性是它能够溶解二氧化硅，因此不能装在玻璃瓶中。 在半导体生产清洗和腐蚀工艺中，主要就利用氢氟酸的这一特性来去除硅片表面的二氧化硅层。 去除磷硅玻璃工艺 清洗液配制 将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。 1号槽中注入一半深度的去离子水，加入氢氟酸，再注入去离子水至溢流口下边缘。 向后面的槽中注满去离子水。 装片 经等离子刻蚀过的硅片，检验合格后插入承片盒。 注意，经过磷扩散处理的表面，刻蚀之后硅片在插入承片盒时也严格规定了放置方向。每盒25片，扣好压条，投入清洗设备。 注意事项 在配制氢氟酸溶液时，要穿好防护服，戴好防护手套和防毒面具。 不得用手直接接触硅片和承载盒。 当硅片在1号槽氢氟酸溶液中时，不得打开设备照明，防止硅片被染色。 硅片在两个槽中的停留时间不得超过设定时间，防止硅片被氧化。 检验标准 当硅片从1号槽氢氟酸中提起时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净。 甩干后，抽取两片硅片，在灯光下目测：表面干燥，无水迹及其它污点。 去磷硅玻璃设备介绍 去磷硅玻璃工艺介绍 * * 工艺流程介绍 硅片检测 制作绒面 酸洗 管式PECVD 等离子刻蚀 去PSG 扩散 丝网印刷 烧结 检测分选 包装 首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。 其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。 生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。 2 10~14 2 2.5~4 0.2~0.4 腔体内呈乳白色，腔壁处呈淡紫色 充气 辉光 充气 主抽 预抽 辉光颜色 工作阶段时间（分钟） 0 650~750 120 200 16 184 200 N2 O2 CF4 反射功率（W） 辉光功率（W） 气压（Pa） 工作