磁盘存储器9-精品·公开课件.ppt

第9章 半导体存储器 9.1 概述 9.2 只读存储器 9.3 随机存取存储器 9.2 只读存储器 在计算机中， 有一些信息需要长期存放，例如常数表、函数、固定程序、 表格和字符等，因此需要一种存储器来长期保存信息。只读存储器ROM就是这样的一种存储器。其特点是在数据存入后，只能读出其中存储单元的信息，而不能写入，断电后不丢失存储内容， 故称之为只读存储器ROM（Read Only Memory）。 9.2.1 固定ROM的结构和工作原理 固定ROM在制造时，生产厂利用掩膜技术把信息写入存储器中。按使用的器件来分， 固定ROM可分为二极管ROM、 双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。在这里主要介绍二极管固定ROM，图9.2.1是4×4二极管固定ROM电路原理图。 图 9.2.1 4×4二极管固定ROM  1） ROM电路的结构 ROM的电路结构包含存储矩阵、 地址译码器和输出缓冲器三个组成部分, 如图9.2.1所示。 存储矩阵由许多存储单元排列而成。存储单元可以用二极管、双极型三极管或MOS管构成。每个单元能存放1位二进制代码（1或0）。 每1个或一组存储单元有一个对应的地址代码。 地址译码器的作用是将输入的地址代码译成相应的控制信号， 用它从存储矩阵中将指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。  输出缓冲器的作用有两个，一是能提高存储器的带负载能力， 二是实现对输出状态的三态控制，以便与系统的总线连接。 2） 工作原理 图9.2.1 是具有2位地址输入和4位数据输出的ROM电路，它的存储单元由二极管构成，它的地址译码器有2位地址代码A1A0能给出4个不同的地址。地址译码器将这4个地址代码分别译成W0~W3 4根线上的高电平信号。  存储矩阵实际上是由4个二极管或门组成的译码器，当W0~W3每根线上给出高电平信号时，都会在D3~D0 4根线上输出一个4位二进制代码。通常将每个输出代码称做一个字，把W0~W3叫字线， 把D3~D0叫位线（或数据线），而把A1、A0称为地址线。 在读取数据时，只要输入指定的地址码且EN=0，则被指定的地址内各存储单元所存的数据便会输出到数据线上。例如当A1A0 =10，W2=1，其余字线为低电平时，由于只有 一根位线与W2 间接有二极管，它导通后使之为高电平，而其余各位线为低电平，于是在数据线（位线）上得到D3D2D1D0=0100。地址码A1A0的4个地址内的存储数据如表9.2.1所示。 表 9.2.1 在图9.2.1所示的存储矩阵中，字线和位线的每个交叉点代表一个存储单元，交叉处接有二极管的单元，表示存储数据为“1”，无二极管的单元表示存储数据为“0”。交叉点的数目也就是存储单元数。习惯上用存储单元的数目表示存储器的容量，并写成“（字数）×（位数）”的形式。本例ROM的容量是“4×4位”。 这种ROM的存储矩阵可采用简化画法，有二极管的交叉点画有实心点，无二极管的交叉点不画。 9.2.2 可编程只读存储器 可编程PROM在封装出厂前，存储单元中的内容全为“1”（或全为“0”），用户可根据需要进行一次性编程处理，将某些单元的内容改为“0”（或“1”）。图9.2.2是熔丝型PROM的一个存储单元，它由三极管和熔丝组成。在存储矩阵中的所有存储单元都具有这种结构。出厂前，所有存储单元的熔丝都是通的，存储内容全为“1”。 用户在使用前进行一次性编程。例如，若想使某单元的存储内容为“0”，只需选中该单元后，再在VCC端加上电脉冲，使熔丝通过足够大的电流，把熔丝烧断即可。熔丝一旦烧断将无法接上，也就是说存储单元一旦写成“0”后就无法再重写成“1”了。因此PROM只能编程一次，使用起来很不方便。 图9.2.2 熔丝型PROM存储单元 9.2.3 可擦除可编程只读存储器 可擦除可编程只读存储器允许对芯片反复改写，根据对芯片内容擦除方式的不同，可分为两种类型： 一、 EPROM又称为紫外线擦除可编程只读存储器，当不需要EPROM中的原有信息时，可用EPROM擦除器产生的强紫外线，对EPROM照射20分钟左右， 使全部存储单元恢复“1”后， 就可以写入新的信息。 二、E2PROM又被称为电擦除可编程只读存储器， 有时也写作EEPROM。其主要特点是能在应用系统中进行在线改写，并能在断电的情况下保存数据而不需保护电源