集成电路设计---常用半导体器件幻灯片课件.pptVIP

*;*;*; 电子遵循费米-狄拉克（Fermi-Dirac）统计分布规律。能量为E的一个独立的量子态被一个电子占据的几率为： ;*;当E-EF》k0T时,;对导带或价带中所有量子态，电子或空穴都可以用玻耳兹曼统计分布描述。由于分布几率随能量呈指数衰减，因此导带绝大部分电子（浓度） 分布在导带底附近，价带绝大部分空穴 分布在价带顶附近，起作用的载流子都在能带极值附近。 ;*;*;*;本征半导体(Intrinsic semiconductor );;;;本征半导体的能带——用能量关系表达本征激发;本征半导体载流子浓度与费米能级;杂质半导体(Impurity semiconductor);N 型半导体;价带;多数载流子(多子)——富裕的载流子 少数载流子(少子)——稀少的载流子;　在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼B、镓Ga、铟In等，即 构成P型半导体(或称空穴型半导体) 。;受主电离 ;说 明：;;施主能级被占据几率为：;电离受主浓度;*;杂质的补偿作用——???艺的需要，因器件很小 ;同时含一种施主杂质和一种受主杂质;*;*;平衡 PN 结 ;*;*;*;*;空间电荷区 ;*;电子;*;正向电流转换和传输 ;PN结的正、反向V-A特性 ;;*;*;*;*;*;*;2）隧道击穿(Zener breakdown)（齐纳击穿或场致击穿）