天线ES问题改善方法.docVIP

ALCATEL one touch Alto4_NA天线ESD问题 WMD-PIC-SZ 版本：V1.0 ： Liyongyong—Zhenglijun 日期： 12/17/2014 TCL Communication Technology Holdings Co., Ltd. 现象描述： 在2G通话状态，+/-9K，掉线后找不到网络，测试GSM900功率变 低，只有10多dBm,经分析为天线开关GSM TX通道坏。 分析思路: 2. 1, PA输出功率是正常的，天线开关输出功率变低了，怀疑是ESD直 接进到Y天线开关的GSM TX通道将开关损坏，下面是天线部分的原理 图。准备用梳导和改匹配的方法。 ANT43M S S 天线的走线己经到了巾壳的不边沿，刚好在电池后壳的合缝处，电 池盖是可以拆卸的，缝较大。想办法用堵的方法。 此处有天线的走线 做实验验证是否和天线的走线有关。 天线馈电，中间是信号，两边是地。 信号和地之间开槽不同。 实验过程： 2.1 实验 2.1.1 将 T4380 贴成结电容为 0.5pF 的 TVS 管 PESD5V0F1BL, +/- 15K测试0K,但天线低频很差，不能采用。 2.1.2将T4380贴56nH的电感，会有大约1K左右的改善，换不同的 值，改善差不多，56nH更好一点。也不能达到+/-15K的要求。不能采用。 2.1.3 将 T4380 贴 mu rata 陶瓷的 TVS LXES15AAA1-153,没有效 果，在并联到地的在增加一颗这个料，还是没有改善。不能采用。 2.2 实验2 2.2.1将天线走线靠近中壳缝隙处割掉0.5mm,用高温胶纸将天线下边沿贴 做。能过+/-15K，天线厂评估可以在出厂做好，只是厚度加了一点， 结构避点胶。这种方案成本会增加一点。 此紅多加了一层膜，ESD 此紅多加了一层膜，ESD测试0K 2.3 实验3 1将主板的天线地馈点加粗，有改善，能达到+/-10K。 2. 3. 2近一步做实验，发现静电是通过天线走线的地耦合到中间的信号馈点。开槽 离馈点越近越好。ET的天线开槽很近，ESD测试+/-15K是0K的。 上图是skycross的天线走线，开槽离馈点远，ESD通过左边的GND会觀合 到中间的信号馈点。 上图是ET的天线，并槽离馈点很近，ESD通过左边的GND会耦合到中间的 信号馈点能量大大减弱。 开槽近的天线性能不达标，项目初期可以采用，到了后期不建议采用，天线 的频段很多，很难调试。 改天线匹配 天线根据无源的数据提供几组匹配，将R4317帖12pF电容，R4316贴33nH 电感，这组匹配最合适，ESD性能能提升到+/-15K。Murata的口本FAE根据以前的 经验也推荐用12pF串在通路里面，这组匹配对天线没有影响。 解决方案： 3.1 短期解决方案 改天线的匹配 3.2 长期解决方案 将RFMD的ASM换成Murata的ASM, RFMD的ASM ESD性能差，别的公司也遇到相同的问 题。在板上，馈点地的地加粗。在天线开关输入中联12pF的电容，和33nH电感下地。 经验小结： 分析方法类总结 多做实验，分析静电的放电路径，采取相应的措施 知识经验类总结 将天线通路里面串联12pF左右的电容写进check list里面