ACF制程中导电粒子薄膜厚度影响.PDFVIP

中華民國力學學會第三十五屆全國力學會議                                     國立成功大學     100  年  11 月   18‐19 日   th The 35  National Conference on Theoretical and Applied Mechanics, November 18‐19, 2011    ACF 製程中導電粒子薄膜厚度的影響 1 2 * 林阿德 、楊耀中 、許兆民 1 正修科技大學機械工程系 2 高雄應用科技大學機械工程系 E-mail:zxc59123@.tw 摘要 錫接合，ACF的優點包括： 本文針對 ACF 製程之壓合與降温過程進行模擬討 （1） 製程溫度低 論 COF 元件中導電粒子薄膜厚度的影響。文中選用直 （2 ） I/O密度高 徑 4µ m 之導電粒子，6個不同薄膜鍍層厚度與 7個不 （3 ） 無鉛製程，減少污染 同的製程壓合力，配合非線性變的材料參數，進行有限 （4 ） 製程步驟少，時程短 元素模擬運算與分析。 （5 ） 不需底膠填充（Under-fill ） 其中導電粒子內部高分子材料使用超彈性模式，絕 （6 ） 高封裝密度，細間距化（ Finer Pitch ） 緣層的樹脂使用黏彈性模式，其他材料使用彈塑性模 目前在可靠性和細間距化的趨勢下，如 COF和 COG構裝 式，進行單顆導電粒子軸對稱模式與接觸理論的 ACF 所使用之異方性導電膠，其導電粒子多表面鍍鎳鍍金之 製程模擬。模擬過程中顯示凹面彎形的產生與變化，而 高分子塑膠粉末，其特點在於塑膠核心具可壓縮性，因 且在 0.05µ m 薄膜鍍層時，在程製結束後，凹面沒有完 此可以增加電極與導電粒子間的接觸面積，降低導通電 全消失且其接觸面外圍也產生凸起變形，使得接觸面積 阻；同時，塑膠核心與樹脂基礎原料的熱膨脹性較為接 減少並影響接觸電阻值。 近，可以避免熱循環和熱衝擊環境時，在高溫或低溫環 關鍵詞 :ACF 、有限元素分析、導電粒子。 境下，導電粒子因與樹脂基礎原料的熱膨脹性差異減少 與電極間的接觸面積，導致導通電阻上升，甚至於開路 1.前言 失效的情形發生。本文以數值分析的方式，模擬製程參 構裝技術是以建立封裝材料各層級間界面接合為 數以期能作為製程上的參考依據。 基礎的科學[1]。電子封裝技術中晶片與基板間的導通一 ACF接合過程中，材料在高溫完成接合、固化後接 般可分為打線接合（Wire Bonding ）、捲帶自動接合 著降溫，靠著導電膠的黏著力提供晶片與基板間接合的 （Tape Automated Bonding ，TAB ） 與 覆 晶 接 合 力量及導電粒子與凸塊及基板之接觸力。封裝過程中所 （Flip-Chip Bonding ）三類。隨著電子產品走向輕薄短 遇到之物理現象包括彈塑性行為、潛變、鬆弛與接觸 小化的趨勢，產品內部之封裝尺