豪林分立器件.PDFVIP

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R 豪林 豪林○ 分立器件 硅N 沟道VDMOS 功率晶体管 2N60 HAO LIN 1 产品特点: 2N60 型硅 N 沟道 VDMOS 功率晶体管,主要用于电源适配器、充电器等线性放大和功率 开关电路。其特点如下: ● 开关速度快 ● 通态电阻低 ● 可并联使用 ● 驱动简单 ● 封装形式:TO-251/252 典型参考数据 VDSS =600V I =2A D Ptot=50W (T =25℃) C G D S 内部等效电原理图 产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有害物质或元素 部件名称 铅 汞 镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴苯醚 (Pb ) (Hg ) (Cd) (Cr(VI) ) (PBB) (PBDE ) 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 管 芯 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 焊 料 × ○ ○ ○ ○ ○ ○:表示该有毒有害物质的含量在SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。 说 明 ×:表示该有毒有害物质的含量超出SJ/T11363-2006 标准的限量要求。 目前产品的焊料中含有铅(Pb )成分,但属于欧盟 ROHS 指令豁免范围。 深圳市豪林电子有限公司 第 1 页 共 3 页 2009-7 版 豪林 豪林 分立器件 2N60 2 电特性 极限值 除非另有规定,T = 25℃ a 参 数 名 称 符 号 额定值 单 位 漏源反向电压 VDSS 600 V 连续漏极电流 ID 2

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