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豪林 豪林○ 分立器件
硅N 沟道VDMOS 功率晶体管 2N60
HAO LIN
1 产品特点:
2N60 型硅 N 沟道 VDMOS 功率晶体管,主要用于电源适配器、充电器等线性放大和功率
开关电路。其特点如下:
● 开关速度快
● 通态电阻低
● 可并联使用
● 驱动简单
● 封装形式:TO-251/252
典型参考数据
VDSS =600V
I =2A
D
Ptot=50W (T =25℃)
C
G D S
内部等效电原理图
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称 铅 汞 镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴苯醚
(Pb ) (Hg ) (Cd) (Cr(VI) ) (PBB) (PBDE )
引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○
塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○
管 芯 ○ ○ ○ ○ ○ ○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○
焊 料 × ○ ○ ○ ○ ○
○:表示该有毒有害物质的含量在SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
说 明 ×:表示该有毒有害物质的含量超出SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb )成分,但属于欧盟 ROHS 指令豁免范围。
深圳市豪林电子有限公司 第 1 页 共 3 页 2009-7 版
豪林 豪林 分立器件 2N60
2 电特性
极限值
除非另有规定,T = 25℃
a
参 数 名 称 符 号 额定值 单 位
漏源反向电压 VDSS 600 V
连续漏极电流 ID 2
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