二维半导体界面特性和其异质结器件研究.PDFVIP

二维半导体界面特性及其异质结器件研究 刘军库，郭 楠，肖 林，贾 怡 （1.钱学森空间技术实验室 空间技术与应用础研究部，北京100094） 1 研究背景 半导体能带工程是实现先进电子和光电子器件研究的基础，如通过可控掺杂 实现电子型和空穴型导电性的调节，进而构筑PN 结、MOS 晶体管等基本元器件； 通过改变材料几何尺寸(使其某一维度达到量子效应凸显的德布罗意波长尺寸)实 现半导体能带的调控，进而构建以量子阱光电探测器为代表的新型器件。 基于块体材料的半导体能带工程已经取得了很大的进步，而实现原子层级别 的材料设计和器件可控制备一直是半导体能带工程研究的目标。近年来，以石墨 烯及二维金属硫化物为代表的二维材料的发现极大地激发了这一领域的发展。二 维材料具有单原子层厚度，而且表面没有悬挂键，通过将这些二维材料异质集成， 可以实现原子层厚度的PN 结，MOS 晶体管、隧穿结及超晶格等电子及光电子器 件。相对于块体材料，基于二维材料的异质集成可以克服块体材料的晶格不匹配 问题，而且异质结器件界面清晰，性能容易调节，材料可选择范围大，加之二维 材料对电磁相互作用敏感。因此，基于二维材料及其异质结的电子和光电器件有 很大的发展前景。但同时二维材料具有比表面积大、表面活性高等特点，器件性 能受表面和界面特性影响大，研究和理解二维材料界面特性是构建基于二维材料 及其异质结器件的基础，本项目基于微区扫描光电流谱技术和原位电学测量技术 研究了以二锑化钼为代表的二维半导体的界面特性，并以此为基础构建了基本的 光电子器件。 2 国内外研究现状 2004 年，A.K.Geim 课题组通过机械剥离的方法首次实现了原子层厚度石墨 材料的制备- 即石墨烯，石墨烯的发现打破了传统理论认为二维材料不能稳定存 在的预言，开启了二维材料研究的时代。因为这一发现，A.K.Geim 和他的学生 K. S. Novoselov 获得了2010 年诺贝尔物理学奖。在石墨烯发现之后，研究人员先 后实现了以 MoS2 为代表的过渡金属硫化物、BP、CrI3 等二维材料的制备，开辟 了谷电子、自旋电子和异质结光电子器件研究的新方法。 然而，二维材料界面特性的研究是二维材料物理和器件研究的重要方面，也 是其研究基础。近几年来，对微纳器件（包括二维材料器件）表面和界面特性的 研究也受到了越来越多的重视，研究方法归纳起来基本上可以分为四类：第一类 是基于扫描探针技术的表面特性研究，这种技术主要用于表征和研究材料和器件 表面形貌，结合电学测量技术可以进一步研究材料和器件表面的势场分布信息， 是一种比较基本的表征技术；第二类是电学输运测量技术，该技术可以研究表面 和界面等环境因素对于微纳器件中载流子传输特性的影响，包括表面散射特性、 界面接触特性等；第三类是光学表征技术，包括拉曼光谱技术、光致发光技术及 超快光谱技术等，通过这些光谱测量技术可以获得材料本身的电子色散关系、声 子色散关系、以及电子和声子的动力学特性；第四类是微区扫描光电流谱技术， 该方法不仅可以研究器件表面和界面势场分布特性，揭示器件的光电转换机理， 而且基于超快激光的微区扫描光电流谱技术，可以研究光生载流子的动态过程， 包括获取器件响应时间、实时观察光生载流子的传输过程等。因此可以看到，基 于超快激光的微区扫描光电流谱技术可以同时提供器件空间分辨特性和时间分 辨特性的研究，是系统研究微纳器件界面特性最有效的方法。 微区扫描光电流谱技术最早由David V.Lang 和Charles H.Henry 1978 在研究 GaAs/Al Ga As 的界面态时提出的，之后逐渐扩展到研究其他半导体器件的表面 x 1-x 和界面光电特性，但是受限于当时光源技术的发展，微区扫描光电流谱技术并没 有引起太多的关注。直到最近二三十年，随着微纳加工技术和激光技术的发展， 微区扫描光电流谱技术才被广泛应用到微纳光电器件的研究中，尤其是基于纳米 材料的光电器件中，包括一维纳米线、碳纳米管和二维石墨烯等微纳光电器件。 2005 年，Jiwoong Park 等人通过微区扫描光电流谱技术第一次展示了硅纳米线器 件空间局部的光电转换特性，很快这一技术就被应用到研究碳纳米管、石墨烯和 其他微纳光电器件中。之后不久，Michelle M. Gabriel 等人在此基础上，以超快 激光为激发光源，引入时间延迟