催化剂对热蒸发CVD法生长茁鄄Ga纳米材料的结构及发光特性的影响.PDFVIP

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催化剂对热蒸发CVD法生长茁鄄Ga纳米材料的结构及发光特性的影响

第34卷摇 第6期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾34 No郾6 2013年6月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE June,2013 文章编号:1000鄄7032(2013)06鄄0716鄄05 催化剂对热蒸发 CVD法生长 茁鄄GaO 2 3 纳米材料的结构及发光特性的影响 1* 2 马海林 ,李摇 艳 (1. 兰州交通大学 国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心,甘肃 兰州摇 730070; 2. 兰州城市学院外国语学院,甘肃 兰州摇 730070) 摘要:用热蒸发CVD法制备了茁鄄Ga O 纳米材料,探讨了Au催化剂对纳米结构和形貌的影响,并研究了其 2 3 光致发光特性。 X射线衍射(XRD)分析显示产物为单斜结构的茁鄄Ga O 。 扫描电子显微镜(SEM)测试表明: 2 3 Au催化剂颗粒尺寸较小时,制备的产物为尺度均匀的茁鄄Ga O 纳米线,宽度小于100 nm,长度为几微米至几 2 3 十微米;增加催化剂颗粒尺寸时,制备出的茁鄄Ga O 纳米结构的尺度变大,形貌由纳米线逐步形成纳米带、片 2 3 等形状。 茁鄄Ga O 纳米结构在波长516 nm处有很强的绿光发光带,而且随着催化剂颗粒尺寸的增加,发光强 2 3 度和峰位“红移冶现象逐渐减弱。 关摇 键摇 词:Ga O ;催化剂;纳米结构;光致发光;红移 2 3 中图分类号:O482.31摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0716 Influence of Catalyst on The Structure and Photoluminescence of 茁鄄Ga O Nano鄄material by Thermal Evaporation 2 3 1* 2 MA Hai鄄lin ,LI Yan (1. National Engineering Research Center of Green Coating Technology and Equipment, LanzhouJiaotong University,Lanzhou730070,China; 2. School of ForeignLanguages,Lanzhou City University,Lanzhou730070,China ) *Corresponding Author,E鄄mail:mahl05

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