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国际半导体技术发展路线图_000005 　　 4.7 新兴材料研究 　　 2009年“新兴材料研究”一章是2007版的更新。2009年的“新兴材料研究”一章已经重新组织,针对不同的应用来考察材料,而2007版的“新兴材料研究”一章则根据未来的路线图需求来考察材料及其可能的应用。2009版的“新兴材料研究”一章考察了新兴逻辑器件及存储器器件应用、光刻(包括新的光刻胶材料)、前端工艺和工艺集成及器件应用、互连,以及装配和封装应用等。本章还研究了计量、建模和环境、安全和保健的需求,以支持这些材料及其可能的应用。尽管这些新兴材料有潜力作为未来技术需求的可能的解决方案,但是仍然需要取得更大的进展,才有可能用于未来的技术。 　　 除了重新构建“新兴材料研究”一章以专注于应用之外,还增加了几种新的应用和材料。用于新兴器件研究的材料包括:“替代性沟道材料(包括对锗、III-V族化合物半导体、石墨烯、碳纳米管和纳米线等的关键评估)”、用于不基于电荷的超越CMOS器件的材料,和用于存储器的材料的新的一节。光刻材料已经在定向自装配材料的基础上进行了扩展,包含了非演化的193 nm波长光刻材料,EUV光刻胶材料包括非化学放大的光刻胶(Non-CAR)、负胶等,用于节距划分的材料,新兴的EUV方法包括负像阳离子法、负像Non-CAR、无机-有机混合和其它Non-CAR材料。用于前端工艺的材料和工艺考察了大量的技术,用于确定性杂质放置和用于选择性刻蚀、清洁及淀积工艺的定向自装配材料。互连材料包括对可能的超薄铜阻挡层和低κ层间介质材料的考察,以扩展铜互连,以及单壁和多壁碳纳米管,用于通孔和互连放置的单晶纳米线。装配和封装材料考察了用于低温装焊和各向异性导电互连材料的纳米金属、用于高电流芯片到封装互连的碳纳米管,以及使用纳米颗粒和高分子来传送封装多聚体,以满足多个为了满足底部填充、模塑化合物和多种黏附性应用而需要满足的、相互冲突的特性。 　　 “新兴材料研究”和“新兴器件研究”这两章还强调了对基于碳的电子器件的研究(例如碳纳米管和石墨烯),用于潜在的替代性沟道材料应用,或作为超越CMOS器件应用的潜在候选技术。 　　 困难和挑战 　　 当前的亚16 nm“新兴材料研究”的困难和挑战总结在表ITWG6。新兴材料研究的最为困难的挑战可能仍将是按时提供能够具有可控的、期望的特性的材料选择,并对决策形成及时的影响。这些材料选择必须要展示出在20 nm尺度上能够实现高密度新兴器件、光刻技术和互连制造等方面的潜力,并能够扩展到几纳米量级。为了改善纳米级材料特性的可靠性,需要在研究界进行通力协作。需要加速进行综合、方法学和建模技术的开发,以加强材料达到设计目标的能力,并实现有生命力的材料技术。还需要改善的计量和建模工具,以指导这些新兴的纳米材料的强健综合方法的演进。很多新兴材料的成功依赖于能够生成有用的纳米结构的强健的综合方法,并具有可控的成分、形态、一组集成的专用特性,和与制造技术的兼容性。 　　 为了实现高密度器件和互连,新兴材料必须要在精确的区域组装,并具有可控的定向。另一个改善新兴的器件、互连和封装技术的关键材料因素是:对内置界面特性进行特征分析和控制。随着特征接近纳米量级,基础的热动力学稳定性方面的考虑和涨落,可能会限制具有严格的尺寸分布和可控的有用材料特性的纳米材料的制造能力。 　　 　　 4.8 前端工艺 　　 在2009年,对“前端工艺”一章进行了重新组织。本章的前半部分,是器件相关的技术需求(逻辑器件包括高性能器件、低运营功耗器件、低待机功耗器件;存储器器件包括DRAM、闪存、相变存储器和FeRAM),然后是工艺技术需求(起始材料、表面准备、热生长/薄膜/掺杂、等离子刻蚀和CMP)。在研究了当前工业界的惯常做法之后,在咨询了ORTC、PIDS、设计和其他技术工作组之后,逻辑器件物理栅长的按比例缩小的速度与2008年更新相比,进一步延迟了1年。 　　 材料限制的器件按比例缩小几乎给前端工艺的每种材料和单元工艺都带来了新的要求,从硅晶圆基片到基础的平面CMOS功能块和存储器存储结构。继续平面体CMOS工艺的按比例缩小正在变得越来越困难。因此,我们必须要准备能够使用非常规MOSFET或替代性技术(例如平面FDSOI和双栅/多栅器件,可能会有平面或垂直的几何构造)的CMOS技术。“新兴器件研究”一章里综述了替代性的器件技术。预计非常规的MOSFET器件的制造将在2013-2015年开始引入,如FDSOI和/或多栅技术等。与这些不同的新材料和结构的集成相关的挑战是本章的中心课题。 　　 具有金属栅电极的高κ栅介质正在制造之中。等效氧化层厚度(EOT)的继续按比例缩小至0.8 nm以下,同时保持电学性能和可靠性,是一个挑战。对新的器件结构,