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半导体材料 . 期末复习 . 考试题型 填空20分，每空1分 判断题20分，每题2分 名词解释20分，每题4分 问答题40分，6个题目 闭卷 AB卷 . 考试内容 前8章 课上补充内容 作业 期末复习题 复习資料 . 半导体材料概述 从电学性质上讲（主要指电阻率） 绝缘体1012—1022 Ω.cm 半导体10-6—1012 Ω.cm 良导体≤10-6Ω.cm 正温度系数（对电导率而言） 负温度系数（对电阻率而言） 导体？？？？ . 半导体材料的分类（按化学组成分类） 无机物半导体 元素半导体：（Ge, Si） 化合物半导体 三、五族GaAs 二、六族 有机物半导体 . 能带理论（区别三者导电性） 金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的，所以金属是良好的导体。 半导体由于禁带宽度比较小，在温度升高或有光照时，价带顶部的电子会得到能量激发到导带中去，这样在导带中就有自由电子，在价带中就相应的缺少电子，等效为带有正电子的空穴，电子和空穴同时参与导电，使得半导体具有一定的导电性能。 一般对于绝缘体，禁带宽度较大，在温度升高或有光照时，能够得到能量而跃迁到导带的电子很少，因此绝缘体的导电性能很差。 . 半导体结构类型 金刚石结构（Si/Ge):同种元素的两套面心立方格子沿对角线平移1/4套构而成 闪锌矿（三、五族化合物如GaAs)：两种元素的两套面心立方格子沿对角线平移1/4套构而成 纤锌矿 . 对禁带宽度的影响 对于元素半导体： 同一周期，左-〉右，禁带宽度增大 同一族，原子序数的增大，禁带宽度减小 . 一.锗、硅的化学制备 硅锗的物理化学性质比较 高纯硅的制备方法 各种方法的具体步骤以及制备过程中材料的提纯 高纯锗的制备方法及步骤 . 二、区熔提纯 分凝现象，平衡分凝系数，有效分凝系数，正常凝固， 平衡分凝系数与杂质集中的关系P20图2－1 BPS公式及各个物理量的含义；分析如何提高分凝效果，如何变成对数形式 影响区熔提纯的因素 区熔的分类，硅和锗各采用什么方法 . 影响区熔的因素 熔区长度 一次区熔的效果，l越大越好 极限分布时，l越小，锭头杂质浓度越低，纯度越高 应用：前几次用宽熔区，后几次用窄熔区。 熔区的移动速度 电磁搅拌或高频电磁场的搅动作用，使扩散加速， δ 变薄，使keff与Ko接近，分凝的效果也越显著 凝固速 度 f 越慢，keff与Ko接近，分凝的效果也越显著 区熔次数的选择 区熔次数的经验公式 n=(1-1.5)L/l 质量输运 通过使锭料倾斜一个角度，用重力作用消除质量输运效应 . 根据提纯要求确定区熔长度、区熔速度和次数；清洗石墨舟、石英管、锗锭；将舟装入石英管、通氢气或抽真空，排气；熔区产生；高频感应炉（附加电磁搅拌作用）；区熔若干次 锗的水平区熔提纯 . 采用悬浮区熔的原因：高温下硅很活泼，易反应，悬浮区熔可使之不与任何材料接触；利用熔硅表面张力大而密度小的特点，可使熔区悬浮。 质量输运问题的对策：硅的熔体密度小，质量迁移向熔区方向进行。因此将熔区从下向上移动，靠重力作用消除质量迁移。 硅的悬浮区熔提纯 . 作业 1.什么是分凝现象？平衡分凝系数？有效分凝系数？ 2.写出BPS公式及各个物理量的含义，并讨论影响分凝系数的因素。 3.分别写出正常凝固过程、一次区熔过程锭条中杂质浓度Cs公式,并说明各个物理量的含义。 4.说明为什么实际区熔时，最初几次要选择大熔区后几次用小熔区的工艺条件。 . 三.晶体生长理论基础 晶体生长的方式 晶体形成的热力学条件 晶体生长的三个阶段 均匀成核，非均匀成核 均匀成核过程中体系自由能随晶胚半径的变化关系分析；图3－2－－P39，各种晶胚的特点 硅锗单晶的生长方法 直拉法生长单晶的工艺步骤p63 结晶过程中的结晶驱动力和溶解驱动力 . 结晶驱动力 结晶通常在恒温恒压下进行，相变向自由能减小的方向进行，若体积自由能大于表面能，就是结晶驱动力，若相反，就是熔解驱动力 . 晶体的外形 从能量的角度：晶体的平衡形状是总界面能最小的形状。 . 作业 试述结晶相变的热力学条件、动力学条件、能量及结构条件。 什么叫临界晶核？它的物理意义及与过冷度的定量关系如何？ 形核为什么需要形核功？均匀形核与非均匀形核形核功有何差别？ . 四、硅锗晶体中的杂质和缺陷 硅锗中杂质的分类 杂质对材料性能的影响 直拉法单晶中纵向电阻率均匀性的控制方法 位错对材料性能的影响 位错对器件的影响 .