捷佳伟创晶体硅电池高温扩散炉培训资料.ppt

气源进气图 电磁阀 气动阀 小氧 MFC 小氮 MFC 大氮 MFC 炉体尾部气路 尾气排废管道 （尾部抽风） 热电偶（内偶） 气源进气口（喷淋管） 恒温槽 恒温槽及源瓶 源量对于方阻的影响是最直接的工艺点之一 源瓶 恒温槽的温度一般都为20度，偏高或偏低都会影响扩散氮的实际流量 三氯氧磷的使用和注意事项 三氯氧磷:1如果在装的过程中不小心发生泄漏或打破源瓶应立即通知车间人员疏散,同时处理人员应戴上防毒面具和相应工具对泄漏的三氯氧磷进行清理,尽量减少三氯氧磷的污染范围同时通知安全人员配合处理 2.磷源更换及注意事项:通知当班工艺人员准备更换磷源工艺人员应积极配合监督并陪同更换磷源全过程生产人员应事先将必备物件备好如小刀防毒面具和橡胶手套等佩带自吸过滤或防毒面具内戴丁晴手套,外戴耐酸咸橡胶手套.检查新源瓶有无损坏裂痕及参透检查进气和出气口阀门是否关闭及标签是否真确.源瓶阀门进气口为锥形口出气口为平口在加一锥形噻在安装进出气管时需小心避免瓶颈的破坏 3.源瓶更换操作要领:先关闭进气口阀门,进气口贴有绿色标签在关闭出气口出气口有红色标签拆卸进出气口需紧固螺母和连接气管.更换源瓶:开启源瓶包装箱之前必须检查源瓶是否有裂痕是否有损坏,阀门开关是否完好而且是关闭状态,检查是否有检验合格证.检查进出气口有没有装反.小口径为进气口其气管连接端深入到三氯氧磷液位一下,大口径为出气口其气管连接端未伸入到三氯氧磷液位 外围部分 1. 抽风：抽风过大，过小都会影响炉管内气体的稳定 性，进一步影响方阻。 2. 工艺气体及CDA的流量： N2 和O2都是扩散所需的重要工艺气体，CDA则是控制气动阀门等的重要气体。 上诉气体如果流量偏差时间持续过长，对工艺会产生很大的影响。 抽风 废弃柜处处于的抽风：一般抽走的是炉门打开时散发的残余废气 废气柜处处于炉门边上的抽风：一般也是抽走的是炉门打开时散发的残余废气 气源柜处的抽风是扩散工艺的主要控制点，该处抽风的过大，过小都会对方阻产生影响，一般在工艺正常运行后，很少进行调试，但如果外围抽风力道变大，炉口的方阻就会升高 工装夹具 石英舟需要定时清洗，脏的石英舟会影响扩散后硅片边缘的外观。（清洗要求要跟距工艺变化来决定）距工艺 新舟或刚清洗完成的舟使用前一定要进行饱和。 工艺控制 影响工艺的主要参数： 1. 温度 2. 时间 3.工艺编辑和修改 4.扩散氮 5. 大氮 6. 氧气 工艺参数 时间 扩散氮的浓度 气体流量 五个温度点 小氧 温度 温度是影响扩散工艺的一个直接工艺参数之一，温度越高，分子运动越剧烈，进入硅片内部的P原子也就越多，形成的结深就越深。 扩散一般有五个温度点（LL LM MM RM RR）,来控制炉管的五个温区。温度一般用于调节片间的均匀性。 时间 时间：一般不同工艺段的时间不一，但就目前扩散的工艺而言，进舟，出舟，和回温氧化步的时间比较固定，（一般都是800s左右）。 一般时间越长，扩散形成的PN结越深，方阻越小。调时间的条件一般是在方阻整体偏高或偏低的情况下。 工艺编辑和修改 工艺编辑是在软件中的工艺编辑栏里面进行编辑。 如果工艺不稳定的情况下，要对工艺进行修改。如修改温度可以在你所需要的温区进行温度修改，不要到手动设置中去修改温区的PB值，如果修改会导致炉体的温度混乱。 扩散氮 扩散氮的主要物质是三氯氧磷（POCl3）。 POCl3在高温下（600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下： 生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下： 扩散氮 由上面反应式可以看出，POCl3热分解时，如果没有外来的氧（O2）参与其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式如下： 生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子。 扩散氮 在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为： POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向